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자료유형
학술저널
저자정보
한병조 (인천재능대학교) 이연 류봉조 (한밭대학교) 구경완 (호서대학교)
저널정보
대한전기학회 전기학회논문지 전기학회논문지 제65권 제10호
발행연도
2016.10
수록면
1,786 - 1,791 (6page)

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The damage has occurred inside the semiconductor pattern When using conventional wet station for semiconductor. It was used for electrolytic ion water generator in order to prevent damage to the semiconductor pattern. It was designed and developed a flow path electrode and the mesh electrode to check the efficiency of the electrode. And It confirmed the expected results through the simulation of the flow path. and ORP were measured in accordance with the current and voltage of mesh electrode and flow paht electrodes. Flow path electrode 22A is 3V, up to pH 9.8, the value of ORP-558mV was measured and the mesh electrode was measured up to pH 9.8, ORP -350㎷.
#Electrolytic ion water generator #Mesh electrode #Flow path electrode

목차

Abstract
1. 서론
2. 본론
3. 결론
References

참고문헌 (12)

참고문헌 신청
[기타자료] - G. S. Goldsmith / 2002 / Multi-Layer Switched Line Phase Shifter / US Patent, Publication google schola [단행본] - M. W. Jawitz / 1997 / Printed Circuit Board Materials Handbook / McGraw-Hill google schola [단행본] - R. R. Tummala / 2001 / Fundamentals of Microsystems Packaging / McGraw-Hill Professional google schola [단행본] - J. H. Lau / 2000 / Low Cost Flip Chip Technologies / McGraw-Hill Professional google schola [학술지(정기간행물)] - K. K. Ryoo / 2003 / Electrolyzed Water Cleaning for Semiconductor Manufacturing / Journal of the Korean Society of Semiconductor Equipment Technology : 2 ~ google schola

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