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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2013.12
- 수록면
- 428 - 433 (6page)
이용수
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본 논문에서는 전력반도체 소자의 재료로써 주목받고 있는 탄화규소 기반의 Trench MOS Barrier Schottky(TMBS)의 순방향 및 역방향 특성을 개선시키기 위한 구조를 제안한다. 순방향 전압강하와 역방향 항복전압을 개선시키기 위하여 사다리꼴 mesa 구조와 trench sidewall의 길이를 조절하는 기법을 사용하는 4H-SiC TMBS 정류기를 제안하고 있다. 제안된 구조는 사다리꼴 mesa 구조를 적용하여 trench sidewall에 경사를 줌으로써 1508V의 역방향 항복전압을 얻었다. 이것은 기존의 4H-SiC TMBS 정류기에 비하여 역방향 항복전압을 11% 개선시켰음을 나타낸다. 또한 trench sidewall 상단의 길이를 조절하여 순방향 전류 에 대하여 12% 감소된 1.6V의 순방향 전압강하를 얻었다. 제안된 소자는 Silvaco사의 T-CAD를 사용하여 전기적 특성을 분석하였다.
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1. [학술대회논문] - R. F. Davis / 1991 / Thin film deposition and microelectronics and optoelectronic device fabrication and characterization in monocrystalline alpha and beta silicon carbide / Proceedings of the IEEE 79 (5) : 677 ~ 701
2. [학술지(정기간행물)] - J. M. Bluet / 2006 / Barrier height homogeneity for 4. 5 kV 4H-SiC Schottky rectifier / Superlattices and Microstructures 40 (10) : 399 ~ 404
3. [학술대회논문] - T. Nakamura / 2011 / High Performance SiC Trench Devices with Ultra-low Ron / Electron Device Meeting (IEDM) : 1 ~ 3
4. [학술지(정기간행물)] - B. J. Baliga / 1984 / The pinch rectifier : A low-forward-drop high-speed power diode / Electron Device Lett. 5 : 194 ~ 196
5. [학술대회논문] - S. Kunori / 1992 / The low power dissipation Schottky barrier diode with trench structure / Proc. 1992 Int. Symp. Power Semiconductor Devices & IC’s : 66 ~ 71
2. [학술지(정기간행물)] - J. M. Bluet / 2006 / Barrier height homogeneity for 4. 5 kV 4H-SiC Schottky rectifier / Superlattices and Microstructures 40 (10) : 399 ~ 404
3. [학술대회논문] - T. Nakamura / 2011 / High Performance SiC Trench Devices with Ultra-low Ron / Electron Device Meeting (IEDM) : 1 ~ 3
4. [학술지(정기간행물)] - B. J. Baliga / 1984 / The pinch rectifier : A low-forward-drop high-speed power diode / Electron Device Lett. 5 : 194 ~ 196
5. [학술대회논문] - S. Kunori / 1992 / The low power dissipation Schottky barrier diode with trench structure / Proc. 1992 Int. Symp. Power Semiconductor Devices & IC’s : 66 ~ 71
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