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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2013.9
- 수록면
- 260 - 266 (7page)
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DRAM 에서 folded bit line 대비 open bit line은 데이터 read나 write 동작시 노이즈(noise)에 취약하다. 6F2(F: Feature Size) 구조의 open bit line에서 DRAM 집적도 증가에 따라 코어(core) 회로부 동작 조건은 노이즈로부터 더욱 악화된다. 본 논문에서는 비트라인(bit line) 간 데이터 패턴의 상호 간섭 영향을 분석하여, 기존의 연구에서는 다루지 않았던 open bit line 방식에서 데이터 패턴 상호 간섭의 취약성을 실험적 방법으로 확인하였으며, 68nm Tech. 1Gb DDR2에서 Advan Test장비를 사용하여 실험하였다. 또한 open bit line 설계 방식에서 노이즈 영향이 DRAM 동작 파라미터(parameter) 특성 열화로 나타나는데, 이를 개선 할 수 있는 방법을 센스앰프 전원분리 실험으로 고찰하였다. 센스앰프 전원분리시 0.2ns(1.3%)~1.9ns(12.7%) 이상 개선될 수 있음을 68nm Tech. 1Gb DDR2 modeling으로 시뮬레이션 하였다.
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참고문헌 (9)
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1. [학술대회논문] - D. Graham-Smith / 2008 / IDF : DDR3 won't catch up with DDR2 during 2009 / PC Pro
2. [보고서] - Busch, B. / 2004 / A 78nm 6F2 DRAM technology for multigigabit densities : 28 ~ 29
3. [학술대회논문] - Benjamin C. Lee / 2009 / Architecting phase change memory as a scalable dram alternative / ISCA '09 Proc. of the 36th international symposium on Computer architecture : 2 ~ 13
4. [학술대회논문] - Hoon Jeong / 2008 / 55 nm capacitor-less 1T DRAM cell transistor with non-overlap structure / Electron Devices Meeting : 1 ~ 4
5. [학술대회논문] - Zaid Al-Ars / 2004 / Effects of Bit Line Coupling on the Faulty Behavior of DRAMs / Proceedings of the 22nd IEEE VLSI Test Symposium : 117 ~ 122
2. [보고서] - Busch, B. / 2004 / A 78nm 6F2 DRAM technology for multigigabit densities : 28 ~ 29
3. [학술대회논문] - Benjamin C. Lee / 2009 / Architecting phase change memory as a scalable dram alternative / ISCA '09 Proc. of the 36th international symposium on Computer architecture : 2 ~ 13
4. [학술대회논문] - Hoon Jeong / 2008 / 55 nm capacitor-less 1T DRAM cell transistor with non-overlap structure / Electron Devices Meeting : 1 ~ 4
5. [학술대회논문] - Zaid Al-Ars / 2004 / Effects of Bit Line Coupling on the Faulty Behavior of DRAMs / Proceedings of the 22nd IEEE VLSI Test Symposium : 117 ~ 122
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