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학술저널
저자정보
Wen-Cheng Lai (ASUSTek Computer) Sheng-Lyang Jang (National Taiwan University of Science and Technology) Yi-You Liu (National Taiwan University of Science and Technology) Miin-Horng Juang (National Taiwan University of Science and Technology)
저널정보
대한전자공학회 JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE Journal of Semiconductor Technology and Science Vol.16 No.4
발행연도
2016.8
수록면
506 - 510 (5page)

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A triple-band (TB) oscillator was implemented in the TSMC 0.18 ㎛ 1P6M CMOS process, and it uses a cross-coupled nMOS pair and two shunt 4<SUP>th</SUP> order LC resonators to form a 6<SUP>th</SUP> order resonator with three resonant frequencies. The oscillator uses the varactors for band switching and frequency tuning. The core current and power consumption of the high (middle, low)- band core oscillator are 3.59(3.42, 3.4) ㎃ and 2.4(2.29, 2.28) ㎽, respectively at the dc drain-source bias of 0.67V. The oscillator can generate differential signals in the frequency range of 8.04-8.68 ㎓, 5.82-6.15 ㎓, and 3.68-4.08 ㎓. The die area of the triple-band oscillator is 0.835 × 1.103 ㎟.
#0.18 ㎛ CMOS #6< #SUP> #th< #/SUP> # LC resonator #4< #SUP> #th< #/SUP> # right-handed LC resonator #triple-band #differential oscillator

목차

Abstract
Ⅰ. INTRODUCTION
Ⅱ. CIRCUIT DESIGN
Ⅲ. EXPERIMENTS
Ⅳ. CONCLUSIONS
REFERENCES

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