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저자정보
유현 (나노종합기술원) 김형택 (한국원자력연구원) 조규성 (한국과학기술원) 설우석 (나노종합기술원)
저널정보
대한전자공학회 대한전자공학회 학술대회 2016년도 대한전자공학회 하계종합학술대회
발행연도
2016.6
수록면
329 - 332 (4page)

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In this work, it was comparatively assessed using Silvaco TCAD simulator that the variation of electric filed distribution in GM-APD(Geiger Mode-Avalanche Photodiode) depending on the P-well dose, results in dark count rate(DCR) and photon detection efficiency(PDE). The electric field near the p-n junction interface in GM-APD is mainly affected by P-well dose. According to the dark count extracted from simulation, the increased electric field at the dose over 4.5×10<SUP>12</SUP>(#/㎠) makes DCR generated by band-to-band tunneling(BBT) increase drastically. PDE decreases as the P-well dose level lowers more. In particular, when the dose level is under 4.5×10<SUP>12</SUP>(#/㎠), PDE declines rapidly. Consequently, it will be helpful to reduce the occurrence of dark count by BBT and minimize the deterioration in PDE if the P-well dose of GM-APD is set to 4.5×10<SUP>12</SUP>(#/㎠).

목차

Abstract
I. 서론
II. 이론적 배경
III. TCAD 전산모사
IV. 결론
참고문헌

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