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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
Sung Hee Jung (Inha University) Ji Hyun Choi (Inha University) Chee Won Chung (Inha University)
저널정보
한국태양광발전학회 Current Photovoltaic Research Current Photovoltaic Research (CPVR) Vol.2 No.3
발행연도
2014.9
수록면
88 - 94 (7page)

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이 논문의 연구 히스토리 (3)

2014

Effect of KCN Treatment on Cu-Se Secondary Phase of One-step Sputter-deposited CIGS Thin Films Using Quaternary Target
Sung Hee Jung ,  Ji Hyun Choi ,  Chee Won Chung Current Photovoltaic Research 2014.09 학술저널

2013

Effect of Sulfurization on CIGS Thin Films by RF Magnetron Sputtering Using a Cu(In1-xGax)Se2 Single Target
Sung Hee Jung ,  Chee Won Chung 한국진공학회 학술발표회초록집 2013.02 학술대회자료

2012

Effect of the Substrate Temperature on the Characteristics of CIGS Thin Films by RF Magnetron Sputtering Using a Cu(In1-xGax)Se₂ Single Target
Sung Hee Jung ,  Seon Mi Kong ,  Rong Fan 외 1명 한국진공학회 학술발표회초록집 2012.02 학술대회자료

초록· 키워드

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The structural, optical and electrical properties of sputter-deposited CIGS films were directly influenced by the sputtering process parameters such as substrate temperature, working pressure, RF power and distance between target and substrate. CIGS thin films deposited by using a quaternary target revealed to be Se deficient due to Se low vapor pressure. This Se deficiency affected the overall stoichiometry of the films, causing the films to be Cu-rich. Current tends to pass through the Cu-Se channels which act as the shunting path increasing the film conductivity. The crystal structure of CIGS thin films depends on the substrate orientation due to the influence of surface morphology, grain size and stress of Mo substrate. The excess of Cu was removed from the CIGS films by KCN treatment, achieving a suitable Cu concentration (referred as Cu-poor) for the fabrication of solar cell. Due to high Cu concentrations on the CIGS film surface induced by Cu-Se phases after CIGS film deposition, KCN treatment proved to be necessary for the fabrication of high efficiency solar cells. Also during KCN treatment, dislocation density and lattice parameter decreased as excess Cu was removed, resulting in increase of bandgap and the decrease of conductivity of CIGS films. It was revealed that Cu-Se secondary phase could be removed by KCN wet etching of CIGS films, allowing the fabrication of high efficiency absorber layer.
#Cu(In< #SUB> #1-x< #/SUB> #Ga< #SUB> #x< #/SUB> #)Se₂ #absorber layer #thin film solar cell #RF sputtering #KCN etching

목차

ABSTRACT
1. Introduction
2. Experimental Details
3. Results and Discussion
4. Conclusions
References

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