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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2015.8
- 수록면
- 363 - 367 (5page)
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This paper reports on thermally adjusted graphene oxide (GO) as the hole transport layer (HTL) for organic light-emitting diodes (OLEDs). GO is generally not suitable for HTL of OLEDs because of intrinsic specific resistance. In this paper, the specific resistance of GO is adjusted by the thermal annealing process. The optimum specific resistance of HTL is found to be 102 Ω·m, and is defined by the maximum current efficiency of OLEDs, 2 cd/A. In addition, the reasons for specific resistance change are identified by x-ray photoelectron spectroscopy (XPS). First, the XPS results show that several functional groups of GO were detached by thermal energy, and the amount of epoxide changed substantially following the temperature. Second, the full width at half maximum (FWHM) of the C-C bond decreased during the process. That means the crystallinity of the graphene improved, which is the scientific basis for the change in specific resistance.
목차
ABSTRACT
1. 서론
2. 실험
3. 결과 및 토의
4. 결론
References
참고문헌 (22)
참고문헌 신청
[학술지(정기간행물)] - Geim, A. K. / 2007 / The Rise of Graphene / Nature Materials 6 (3) : 183 ~ 191
[학술지(정기간행물)] - Nair, R. R. / 2008 / Fine Structure Constant Defines Visual Transparency of Graphene / Science 320 (5) : 881 ~ 1308
[학술지(정기간행물)] - Balog, R. / 2010 / Bandgap Opening in Graphene Induced by Patterned Hydrogen Adsorption / Nature Materials 9 (4) : 315 ~ 319
[학술지(정기간행물)] - Park, J. / 2012 / Single-gate Bandgap Opening of Bilayer Graphene by Dual Molecular Doping / Adv. Mater. 24 (3) : 407 ~ 411
[학술지(정기간행물)] - Han, M. Y. / 2007 / Energy Band-gap Engineering of Graphene Nanoribbons / Phys. Rev. Lett. 98 (20) : 206 ~ 805
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[학술지(정기간행물)] - Balog, R. / 2010 / Bandgap Opening in Graphene Induced by Patterned Hydrogen Adsorption / Nature Materials 9 (4) : 315 ~ 319
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