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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술대회자료
- 저자정보
- 발행연도
- 2015.6
- 수록면
- 495 - 501 (7page)
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This paper presents the performance of silicon carbide (SiC) switches in a series-loaded resonant (SLR) converter with dual control (DuC). It is shown that the SiC metal oxide-semiconductor field-effect transistor (MOSFET) with DuC increases the overall efficiency of the SLR converter compared to frequency modulation (FM). For the SiC bipolar junction transistors (BJT), the loss reduction with DuC instead of FM is not as dramatic as for the MOSFET case. Regardless of which transistor type used, the switching losses are around 20 % of the total losses at around 25 kHz.
With DuC an almost constant switching frequency is used over the full voltage range compared to FM were the switching frequency increases by 13 %. Additionally a reduction of capacitive snubbers is achieved with DuC.
With DuC an almost constant switching frequency is used over the full voltage range compared to FM were the switching frequency increases by 13 %. Additionally a reduction of capacitive snubbers is achieved with DuC.
목차
Abstract
I. INTRODUCTION
II. SERIES-LOADED RESONANT CONVERTER AND DUAL CONTROL
III. EXPERIMENTAL RESULTS
IV. CONCLUSIONS
REFERENCES
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