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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술대회자료
- 저자정보
- 발행연도
- 2007.7
- 수록면
- 475 - 476 (2page)
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The stress induced leakage currents will affect data retention in synapse transistors and the stress current, transient current is used to estimate to fundamental limitations on oxide thicknesses. The synapse transistor made by thin silicon oxides has represented the neural states and the man ... 전체 초록 보기
목차
Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 본론
Ⅲ. 결론
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