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학술저널
저자정보
Dongmin Kim (Korea Advanced Institute of Science and Technology) Dong-Ho Lee (Hanbat National University) Sanghoon Sim (RF core Co. Ltd.) Laurence Jeon (RF core Co. Ltd.) Songcheol Hong (Korea Advanced Institute of Science and Technology)
저널정보
대한전자공학회 JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE Journal of Semiconductor Technology and Science Vol.14 No.6
발행연도
2014.12
수록면
818 - 823 (6page)

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A high-gain wideband low noise amplifier (LNA) using 0.25-㎛ Gallium-Nitride (GaN) MMIC technology is presented. The LNA shows 8 ㎓ to 15 ㎓ operation by a distributed amplifier architecture and high gain with an additional common source amplifier as a mid-stage. The measurement results show a flat gain of 25.1±0.8 ㏈ and input and output matching of -12 ㏈ for all targeted frequencies. The measured minimum noise figure is 2.8 ㏈ at 12.6 ㎓ and below 3.6 ㏈ across all frequencies. It consumes 98 ㎃ with a 10-V supply. By adjusting the gate voltage of the mid-stage common source amplifier, the overall gain is controlled stably from 13 ㏈ to 24 ㏈ with no significant variations of the input and output matching.

목차

Abstract
Ⅰ. INTRODUCTION
Ⅱ. GAN LNA DESIGN
Ⅲ. MEASUREMENT RESULTS
Ⅴ. CONCLUSIONS
REFERENCES

참고문헌 (14)

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