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자료유형
학술저널
저자정보
Rajendra Pratap Vineeta Agarwal (Motilal Nehru National Institute of Technology) Ravindra K. S (Motilal Nehru National Institute of Technology)
저널정보
대한전자공학회 JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE Journal of Semiconductor Technology and Science Vol.14 No.6
발행연도
2014.12
수록면
697 - 705 (9page)

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A single chip Programmable AC to DC Power Converter, consisting of wide band gap SiC MOSFET and SiC diodes, has been proposed which converts high frequency ac voltage to a conditioned dc output voltage at user defined given power level. The converter has high conversion efficiency because of negligible reverse recovery current in SiC diode and SiC MOSFET. High frequency operation reduces the need of bigger size inductor. Lead inductors are enough to maintain current continuity. A complete electrical analysis, die area estimation and thermal analysis of the converter has been presented. It has been found that settling time and peak overshoot voltage across the device has reduced significantly when SiC devices are used with respect to Si devices. Reduction in peak overshoot also increases the converter efficiency. The total package substrate dimension of the converter circuit is only 5 ㎜ × 5 ㎜. Thermal analysis performed in the paper shows that these devices would be very useful for use as miniaturized power converters for load currents of up to 5-7 amp, keeping the package thermal conductivity limitation in mind. The converter is ideal for voltage requirements for sub-5 V level power supplies for high temperatures and space electronics systems.
#Silicon carbide MOSFET #modelling #system miniaturization #system package #silicon carbide diode

목차

Abstract
Ⅰ. INTRODUCTION
Ⅱ. PROPOSED CONVERTER SYSTEM
Ⅲ. PACKAGE DIE AREA ESTIMATION
Ⅳ. THERMAL ANALYSIS
Ⅴ. ELECTRICAL ANALYSIS
Ⅵ. CONCLUSIONS
REFERENCES

참고문헌 (17)

참고문헌 신청
Wang, Ruxi / 2010 / Design of high-temperature SiC threephase AC-DC converter for >100°C ambient temperature / IEEE Energy Conversion Congress and Exposition (ECCE) google schola Hazucha, P. / 2005 / A 233-MHz 80utilizing aircore inductors on package / Solid-State Circuits, IEEE Journal of 40(4):838~845 google schola 500-mA, 3MHz Synchronous Step-Down Converters in chip scale package, TPS623XX Datasheet, Texas Instruments google schola 4 MHz PWM Synchronous Buck Regulator with LDO Standby Mode, MIC2245 Datasheet google schola 6A Voltage Mode Synchronous Buck PWM DCDC Converter with Integrated Inductor 3-Pin VID Output Voltage Select , EP5365Q Datasheet google schola

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