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Youngil Kim (Hanyang University) Sungwook Choi (SK Hynix Semiconductor Inc.) Jaeho Lee (SK Hynix Semiconductor Inc.) Hyunchul Cho (SK Hynix Semiconductor Inc.) Samkyu Won (SK Hynix Semiconductor Inc.) Sungdae Choi (SK Hynix Semiconductor Inc.) Duckju Kim (SK Hynix Semiconductor Inc.) Taeyun Kim (SK Hynix Semiconductor Inc.) Gunwoo Park (SK Hynix Semiconductor Inc.) Sangsun Lee (Hanyang University)
저널정보
대한전자공학회 대한전자공학회 ISOCC ISOCC 2013 Conference
발행연도
2013.11
수록면
339 - 342 (4page)

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This paper proposed program voltage circuit techniques for 3D Solid State Drives (SSDs) with NAND flash memories. We reduced the charge pump stage using external high voltages of 12V and 5V with a proposed soft pre-charge high voltage switch to improve the power efficiency and area efficiency without a breakdown issue. The physical layout area in comparison with a conventional scheme and improves the power efficiency.
#Solid State Drive (SSD) #NAND flash memory #Charge Pump #Boost Converter #High Voltage Switch

목차

Abstract
Ⅰ. INTRODUCTION
Ⅱ. HIGH-VOLTAGE GENERATOR USING EXTERANL POWER
Ⅲ. MEASUREMENT RESULTS
Ⅳ. CONCLUSION
REFERENCES

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