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저자정보
Akilan Thangarajah (Asian Institute of Technology) Heng-Ming Hsu (National Chung Hsing University) Mongkol Ekpanyapong (Asian Institute of Technology) Chumnarn Punyasai (National Electronics and Computer Technology Center) Yi- Te Chou (National Chung Hsing University) Nai-Chen Liu (National Chung Hsing University)
저널정보
대한전자공학회 대한전자공학회 ISOCC ISOCC 2013 Conference
발행연도
2013.11
수록면
119 - 122 (4page)

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Low-noise amplifier (LNA) is a very critical component in terms of its functionality in a transceiver. This paper presents design of a 20-㎓ low-noise amplifier in TSMC 0.18 ㎛ technology. The design utilizes multi-stage topology which includes three transistors. First-stage is a single ended common-source topology while the second stage is current reused topology. Post layout simulations show that the proposed LNA exhibits gain of 14.7㏈, noise figure of 3.4 ㏈ while it consumes only 10.62㎽. Moreover, the chip area of the LNA is 0.5175㎟.
#Low Noise Amplifier #Noise Figure #Radio Frequency Integrated Circuit #Transceiver

목차

Abstract
Ⅰ. INTRODUCTION
Ⅱ. PROPOSED LOW NOISE AMPLIFIER TOPOLOGY
Ⅲ. POST-SIMULATION RESULTS
Ⅳ. CONCLUSIONS
References

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