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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술대회자료
- 저자정보
- 발행연도
- 2013.11
- 수록면
- 68 - 71 (4page)
이용수
초록· 키워드
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In this paper, we propose an optimal combination of transistor types in the conventional sensing circuit. A sensing margin, which determines the read yield of STT-RAM, is sensitive to the Vth type of several transistors in the sensing circuit. Thus, the optimization of the sensing circuit using different types of transistors is imptortant for designing the sensing circuit in STT-RAM. Using industry compatible 45-nm model parameters, Monte Carlo HSPICE simulation results show that the conventional sensing circuit optimized using different types of tansistors achieves read access pass yield enhancement of 10% when compared to the conventional sensing circuit using typical transistors.
목차
Abstract
Introduction
Preliminary
I-V Curve Analysis
Effect of Differnt Types of Transistors
Transistor Type Optimization
Conclusion
References
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UCI(KEPA) : I410-ECN-0101-2016-569-001048463