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Seung Ho Lee (Sungkyunkwan University) Seung Hwan Kang (Sungkyunkwan University) Dong Ho Shin (Sungkyunkwan University) Byeong Hoon Kim (Samsung Electronics) Han Seo Ko (Sungkyunkwan University)
저널정보
한국전산유체공학회 한국전산유체공학회 학술대회논문집 한국전산유체공학회 2014년도 국제학술대회 논문집
발행연도
2014.10
수록면
399 - 403 (5page)

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Recently since many devices in the memory market have large capacity and their speed become faster, the size of the devices is getting smaller. Thus, electrical properties of the devices depend sensitively on a thickness, uniformity and dopant concentration distribution of a thin film. A Low Pressure Chemical Vapor Deposition(LPCVD)/Diffusion process which is one of semiconductor production processes uses high temperature heat transfer. Therefore, it is necessary to improve the heat and mass transfer efficiency for solid and gas states in the furnace during the process. For this purpose, a computational fluid dynamics (CFD) analysis for a SiC boat in the LPCVD process was performed. In this LPCVD process, the calculated temperature of the outer tube was high to generate the heat flux to the wafer. And, the temperature difference between the wafer edge and the center was calculated to be about 0.5℃. Also, the gas flow velocity distribution inside the furnace was obtained by the developed CFD. In this study, the reduction idea of the temperature difference was proposed because a warpage of the wafer with a thin thickness is highly affected by the temperature difference
#CFD #LPCVD #WAFER #HEAT & # MASS TRANSFER

목차

Abstract
1. Introduction
2. Modeling and Meshing
3. Simulation Models
4. Results and Discussion
5. Conclusion
6. References

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