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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 저널정보
- 대한전자공학회 JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE Journal of Semiconductor Technology and Science Vol.14 No.5
- 발행연도
- 2014.10
- 수록면
- 666 - 672 (7page)
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We have investigated the gate insulator effects on the electrical performance of p-type tin monoxide (SnO) thin-film transistors (TFTs). Various SnO TFTs are fabricated with different gate insulators of a thermal SiO₂, a plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD) SiNx, a 150 ℃-deposited PEVCD SiO<SUB>x</SUB>, and a 300 ℃-deposited PECVD SiO<SUB>x</SUB>. Among the devices, the one with the 150℃-deposited PEVCD SiO<SUB>x</SUB> exhibits the best electrical performance including a high field-effect mobility (=4.86 cm²/Vs), a small subthreshold swing (=0.7 V/decade), and a turn-on voltage around 0 (V). Based on the X-ray diffraction data and the localizedtrap-states model, the reduced carrier concentration and the increased carrier mobility due to the small grain size of the SnO thin-film are considered as possible mechanisms, resulting in its high electrical performance.
목차
Abstract
I. INTRODUCTION
II. EXPERIMENTS
III. RESULTS AND DISCUSSION
IV. CONCLUSIONS
REFERENCES
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