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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2014.11
- 수록면
- 1 - 6 (6page)
- DOI
- 10.14801/kitr.2014.12.11.1
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고온급속 열처리된 VF₂-TrFE/Si 구조를 이용하여 금속-강유전체-반도체(MFS) 커패시터를 제작하였으며, MFS 커패시터의 비휘발성 메모리 동작을 확인하였다. MFS 커패시터의 C-V 특성에서는 VF₂-TrFE의 강유전성에 기인하는 히스테리시스 곡선이 확인되었다. C-V 곡선의 축적영역의 커패시턴스 값으로부터 계산한 VF₂-TrFE 박막의 비유전상수 값은 약 9.5였다. 실온에서 확인한 박막의 누설전류밀도는 인가 전계 1MV/㎝에서 10<SUP>-7</SUP>A/㎠ 였다. 전형적인 잔류 분극값과 항전계 값은 각각 5.7μC/㎠와 470KV/㎝로 측정되었다. 강유전체 커패시터는 500KHz의 바이폴러 펄스를 인가하여 측정하였을 때 10<SUP>10</SUP> 사이클에서 초기 분극 값의 30%가 분극 열화함을 보였다.
목차
요약
Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. MFS 커패시터 제작 방법
Ⅲ. 실험 결과 및 고찰
Ⅳ. 결론
References
참고문헌 (12)
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1. [학술지(정기간행물)] - S. M. Yoon / 2010 / Impact of Interface Controlling Layer of Al2O3 for Improving the Retention Behaviors of In–Ga–Zn Oxide-Based Ferroelectric Memory Transistor / Appl. Phys. Lett 96 : 232903-1 ~ 232903-3
2. [학술지(정기간행물)] - J. Y. Bak / 2013 / Nonvolatile Memory Performance Improvements for Solution-Processed Thin-Film Transistors with Composition-Modified In–Zn–Ti–O Active Channel and Ferroelectric Copolymer Gate Insulator / Org. Electr 14 : 2148 ~ 2157
3. [학술지(정기간행물)] - S. J. Kang / 2009 / Printable Ferroelectric PVDF/PMMA Blend Films with Ultralow Roughness for Low Voltage Non-Volatile Polymer Memory / Adv. Funct. Mater 19 : 2812 ~ 2818
4. [학술지(정기간행물)] - R. H. Kim / 2014 / Non-volatile Organic Memory with Sub-Millimetre Bending Radius / Nature Comm 5 : 3583-1 ~ 3583-12
5. [보고서] - S. S. Eaton / 1988 / A Ferroelectric Nonvolatile Memory : 130 ~
2. [학술지(정기간행물)] - J. Y. Bak / 2013 / Nonvolatile Memory Performance Improvements for Solution-Processed Thin-Film Transistors with Composition-Modified In–Zn–Ti–O Active Channel and Ferroelectric Copolymer Gate Insulator / Org. Electr 14 : 2148 ~ 2157
3. [학술지(정기간행물)] - S. J. Kang / 2009 / Printable Ferroelectric PVDF/PMMA Blend Films with Ultralow Roughness for Low Voltage Non-Volatile Polymer Memory / Adv. Funct. Mater 19 : 2812 ~ 2818
4. [학술지(정기간행물)] - R. H. Kim / 2014 / Non-volatile Organic Memory with Sub-Millimetre Bending Radius / Nature Comm 5 : 3583-1 ~ 3583-12
5. [보고서] - S. S. Eaton / 1988 / A Ferroelectric Nonvolatile Memory : 130 ~
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