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첨단과학이 발전하면서 반도체의 필요성은 끊임없이 요구되고 있으며, 이러한 반도체 공정에서는 다량의 독성가스를 이용한 공정이 많다. 이러한 공정에서 가스의 누설로 인한 사고의 위험성은 항상 내재되어 있는 실정이다. 특히 국내 독성가스 사고는 암모니아와 염소에 의한 사고가 대부분이다. 따라서 본 논문에서는 LPCVD 공정에서 사용하는 암모니아와 염소의 누출로 인한 피해를 예측하여 안전에 만전을 기하고자 한다.
목차
요약
Abstract
I. Introduction
II. The characteristics of gas and formula
III. Results
IV. Conclusions
Reference
참고문헌 (18)
참고문헌 신청
1. [학술지(정기간행물)] - Doo-Young Yang / 2000 / LPCVD / The Korea Ceramic Society 3 (2) : 60 ~ 68
2. [학술지(정기간행물)] - 정우석 / 2003 / Optimization of Selective Epitaxial Growth of Silicon in LPCVD / ETRI Journal 25 (6) : 503 ~ 509
3. [단행본] - M. Ivanda / 2003 / NATO Science Series 93, Towards the First Silicon Laser / Kluwer Academic Publ. : 191 ~ 197
4. [기타자료] - M. Ivanda / / Implementation and Development of the LPCVD Process. grant no. TP-01/0098-23
5. [단행본] - Korea Gas Safety Corporation / 2007 / 2006 gas accident yearbook / Sunjin printing
2. [학술지(정기간행물)] - 정우석 / 2003 / Optimization of Selective Epitaxial Growth of Silicon in LPCVD / ETRI Journal 25 (6) : 503 ~ 509
3. [단행본] - M. Ivanda / 2003 / NATO Science Series 93, Towards the First Silicon Laser / Kluwer Academic Publ. : 191 ~ 197
4. [기타자료] - M. Ivanda / / Implementation and Development of the LPCVD Process. grant no. TP-01/0098-23
5. [단행본] - Korea Gas Safety Corporation / 2007 / 2006 gas accident yearbook / Sunjin printing
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