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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2014.10
- 수록면
- 831 - 835 (5page)
이용수
초록· 키워드
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온도를 달리하여 수열합성 시킨 두 ZnO nanostructure 의 자외선 검출 소자에 대해 표면 결함과 기판과의 계면 결함의 상대적인 영향을 분석했다. 실험은 laser 가 인가된 상태에서 bias voltage sweep rate 을 조절하여, 그에 따른 전류-전압 곡선을 통해 이루어졌다. 수열 성장이 적게 된 ZnO nanostructure 의 경우 405, 355 nm laser 인가시, bias voltage sweep rate 을 느리게 할 수록, 전류-전압 기울기가 낮아졌으며, 대조적으로 성장이 크게 된 시료의 경우 기울기가 높아졌다. 이에 대한 이유는 계면과 표면 결함 영향의 차이로 발생됨이 고려됐다. 이와 같이 laser 가 인가된 상태에서 bias voltage sweep rate 에 따른 전류-전압 곡선분석 실험은 M-S-M (Metal-Semiconductor-Metal) 구조를 갖는 수열 성장된 ZnO 의 표면 및 계면 결함을 관찰하는데 도움을 줄 것으로 생각된다.
목차
초록
Abstract
1. 서론
2. 실험 방법 및 결과
3. 결론
참고문헌
참고문헌 (10)
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1. [학술지(정기간행물)] - Look, D. C / 2002 / Characterization of Homoepitaxial P-type ZnO grown by Molecular Beam Epitaxy / Appl. Phys. Lett 81 : 1830 ~ 1832
2. [학술지(정기간행물)] - Park, W. I / 2003 / Quantum Confinement Observed in ZnO/ZnMgO Nanorod Heterostructures / Adv. Mater 15 : 526 ~ 529
3. [학술지(정기간행물)] - Hirschwald, W. H / 1985 / Zinc Oxide: An Outstanding Example of a Binary Compound Semiconductor / Acc. Chem. Res 18 : 228 ~ 234
4. [학술지(정기간행물)] - Fortunato, E / 2012 / Oxide Semiconductor Thin-film Transistors: A Review of Recent Advances / Adv. Mater 24 : 2945 ~ 2986
5. [학술지(정기간행물)] - Jeong, M. C / 2007 / ZnO‐Nanowire‐Inserted GaN/ZnO Heterojunction Light‐Emitting Diodes / Small 3 : 568 ~ 572
2. [학술지(정기간행물)] - Park, W. I / 2003 / Quantum Confinement Observed in ZnO/ZnMgO Nanorod Heterostructures / Adv. Mater 15 : 526 ~ 529
3. [학술지(정기간행물)] - Hirschwald, W. H / 1985 / Zinc Oxide: An Outstanding Example of a Binary Compound Semiconductor / Acc. Chem. Res 18 : 228 ~ 234
4. [학술지(정기간행물)] - Fortunato, E / 2012 / Oxide Semiconductor Thin-film Transistors: A Review of Recent Advances / Adv. Mater 24 : 2945 ~ 2986
5. [학술지(정기간행물)] - Jeong, M. C / 2007 / ZnO‐Nanowire‐Inserted GaN/ZnO Heterojunction Light‐Emitting Diodes / Small 3 : 568 ~ 572
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