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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2014.8
- 수록면
- 1,925 - 1,930 (6page)
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본 연구에서는 비대칭 이중게이트(double gate; DG) MOSFET의 채널 내 도핑분포함수에 따른 전도중심과 문턱전압이하 스윙의 관계에 대하여 분석하였다. 비대칭 DGMOSFET의 채널크기는 매우 작기 때문에 불순물의 수가 매우 작으므로 고 도핑된 채널의 경우에 대하여 분석하였다. 이를 위하여 포아송방정식에서 해석학적 전위분포모델을 유도하였으며 도핑분포함수는 가우스분포함수를 사용하였다. 해석학적 전위분포모델을 이용하여 전도중심 및 문턱전압이하 스윙모델을 유도하였으며 채널길이 및 채널두께가 변할 때, 도핑분포함수의 변수인 이온주입범위 및 분포편차에 따른 전도중심 및 문턱전압이하 스윙의 변화를 관찰하였다. 결과적으로 전도중심이 상단게이트 단자로 이동할 때, 문턱전압이하 스윙 값은 감소하였으며 단채널 효과에 의하여 채널길이 감소 및 채널두께 증가에 따라 문턱전압이하 스윙 값은 증가하였다.
목차
요약
ABSTRACT
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 비대칭 DGMOSFET의 전도중심 및 문턱전압이하 스윙 모델
Ⅲ. 도핑분포함수에 따른 문턱전압이하 스윙 결과 고찰
Ⅳ. 결론
참고문헌 (7)
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2. [학술지(정기간행물)] - P.Zhang / 2013 / P-type and N-type multi-gate polycrystalline silicon vertical thin film transistors based on low-temperature / Solid-state electronics 86 (1) : 1 ~ 5
3. [학술지(정기간행물)] - S.Jandhyala / 2012 / Inclusion of body doping in compact models for fully-depleted common double gate MOSFET adapted to gate-oxide thickness asymmetriy / Electronics Lett 48 (13) : 794 ~ 795
4. [학술지(정기간행물)] - S. H. Chou / 2013 / Investigation and Comparison of Work Function Variation for FinFET and UTB SOI Devices Using a Voronoi Approach / IEEE Trans. Electron Devices 60 (4) : 1485 ~ 1489
5. [학술지(정기간행물)] - Z. Ding / 2011 / An analytical model for channel potential and subthreshold swing of the symmetric and asymmetric double-gate MOSFETs / Microelectronics J 42 : 515 ~ 519
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5. [학술지(정기간행물)] - Z. Ding / 2011 / An analytical model for channel potential and subthreshold swing of the symmetric and asymmetric double-gate MOSFETs / Microelectronics J 42 : 515 ~ 519
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