지원사업
학술연구/단체지원/교육 등 연구자 활동을 지속하도록 DBpia가 지원하고 있어요.
커뮤니티
연구자들이 자신의 연구와 전문성을 널리 알리고, 새로운 협력의 기회를 만들 수 있는 네트워킹 공간이에요.
논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2014.7
- 수록면
- 1,657 - 1,662 (6page)
이용수
초록· 키워드
오류제보하기
본 연구에서는 다중게이트 구조인 n-채널 무접합(junctionless) MuGFET 의 기판 전압이 zero capacitor RAM(Z-RAM) 특성에 미치는 영향에 대하여 실험적으로 분석하였다. 핀 폭이 50nm 이고, 핀 수가 1인 무접합 트랜지스터의 드레인에 3.5V, 기판에 0V 가 인가된 경우, 메모리 윈도우는 0.34V 이며 센싱 마진 은 1.8×104 의 특성을 보였다. 양의 기판 전압이 인가되면 충격 이온화가 증가하여 메모리 윈도우와 센싱 마진 특성이 개선되었다. 기판 전압이 0V에서 10V로 증가함에 따라, 메모리 윈도우 값은 0.34V 에서 0.96V 로 증가하였고, 센싱 마진 또한 소폭 증가하였다. 기판 전압에 따른 무접합 트랜지스터의 메모리 윈도우 민감도가 반전 모드 트랜지스터 보다 큰 것을 알 수 있었다. Gate Induced Drain Leakage(GIDL) 전류가 작은 무접합 소자의 경우 반전모드 소자에 비해서 보유시간 특성이 좋을 것으로 사료된다. Z-RAM의 동작 신뢰도 평가를 위해서 셋/리셋 전압 및 전류의 변화를 측정하였다.
목차
요약
ABSTRACT
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 소자제작 및 측정
Ⅲ. 결과 및 고찰
Ⅳ. 결론
REFERENCES
참고문헌 (17)
참고문헌 신청
1. [학술대회논문] - Parkinson. P.S. / 2003 / Novel techniques for scaling deep trench DRAM capacitor technology to 0.11μm and beyond / Proc. Symp. VLSI Technol. : 21 ~ 24
2. [학술지(정기간행물)] - Kotechki. D.E. / 1999 / (Ba, Sr)TiO3 dielectrics for future stacked-capacitor DRAM / IBM Journal of Research and Development 43 (3) : 367 ~ 392
3. [학술지(정기간행물)] - Okhonin. S. / 2002 / A Capacitor-less 1T-DRAM cell / IEEE Electron Device Letters 23 (2) : 85 ~ 87
4. [학술지(정기간행물)] - Yoshida. E. / 2006 / A capacitorless 1T-DRAM technology using Gate-Induced Drain-Leakage (GIDL)current for low-power and high-speed embedded memory / IEEE Transaction on Electron Devices 53 (4) : 692 ~ 697
5. [학술대회논문] - Okhonin. S. / 2007 / New generation of Z-RAM / Proc. IEDM : 925 ~ 928
2. [학술지(정기간행물)] - Kotechki. D.E. / 1999 / (Ba, Sr)TiO3 dielectrics for future stacked-capacitor DRAM / IBM Journal of Research and Development 43 (3) : 367 ~ 392
3. [학술지(정기간행물)] - Okhonin. S. / 2002 / A Capacitor-less 1T-DRAM cell / IEEE Electron Device Letters 23 (2) : 85 ~ 87
4. [학술지(정기간행물)] - Yoshida. E. / 2006 / A capacitorless 1T-DRAM technology using Gate-Induced Drain-Leakage (GIDL)current for low-power and high-speed embedded memory / IEEE Transaction on Electron Devices 53 (4) : 692 ~ 697
5. [학술대회논문] - Okhonin. S. / 2007 / New generation of Z-RAM / Proc. IEDM : 925 ~ 928
이 논문의 저자 정보
최근 본 자료
댓글(0)
0
UCI(KEPA) : I410-ECN-0101-2015-550-002499594