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김시현 (서울대학교) 박정진 (서울대학교) 이준일 (서울대학교) 김현우 (서울대학교) 김장현 (서울대학교) 박병국 (서울대학교)
저널정보
대한전자공학회 대한전자공학회 학술대회 2014년도 대한전자공학회 하계종합학술대회
발행연도
2014.6
수록면
49 - 52 (4page)

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This paper suggests the way to optimize tunneling field effect transistor (TFET) which is a promising candidate for low-power operating device. We investigate the effect of pocket doping, body thickness, gate oxide permittivity and band gap energy of source material on the current characteristic (on-current and subthreshold swing) of TFET.

목차

Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 본론
Ⅲ. 결론
참고문헌

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