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학술저널
저자정보
고영기 (한국생산기술연구원) 고용호 (한국생산기술연구원) 방정환 (한국생산기술연구원) 이창우 (한국생산기술연구원)
저널정보
대한용접·접합학회 대한용접·접합학회지 大韓熔接·接合學會誌 第32卷 第3號
발행연도
2014.6
수록면
68 - 73 (6page)

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Among through silicon via (TSV) technologies, for replacing Cu filling method, the method of molten solder filling has been proposed to reduce filling cost and filling time. However, because Sn alloy which has a high coefficient of thermal expansion (CTE) than Cu, CTE mismatch between Si and molten solder induced higher thermal stress than Cu filling method. This thermal stress can deteriorate reliability of TSV by forming defects like void, crack and so on. Therefore, we fabricated SiC composite filling material which had a low CTE for reducing thermal stress in TSV. To add SiC nano particles to molten solder, ball-typed SiC clusters, which were formed with Sn powders and SiC nano particles by ball mill process, put into molten Sn and then, nano particle-dispersed SiC composite filling material was produced. In the case of 1 wt.% of SiC particle, the CTE showed a lowest value which was a 14.8ppm/℃and this value was lower than CTE of Cu. Up to 1 wt.% of SiC particle, Young’s modulus increased as wt.% of SiC particle increased. And also, we observed cross-sectioned TSV which was filled with 1 wt.% of SiC particle and we confirmed a possibility of SiC composite material as a TSV filling material.
#Through Silicon Via(TSV) #Coefficient of Thermal expansion(CTE) mismatch #SiC composite solder

목차

Abstract
1. 서론
2. 실험 방법
3. 실험 결과
4. 결론
Reference

참고문헌 (14)

참고문헌 신청
1. [기타자료] - / 2008 / 3-D TSV Interconnects / yole development google schola 2. [기타자료] - / 2011 / 3D IC & TSV Technology / yole development google schola 3. [기타자료] - E. Mounier / 2007 / Market Drivers for 3D Integration / SEMICON, West 2007 google schola 4. [학술대회논문] - A. Tsukada / 2011 / Study on TSV with New Filling Method and Alloy for Advanced 3D-SiP / Proceeding of Electronic Components and Technology Conference : 1981 ~ 1986 google schola 5. [학술지(정기간행물)] - Y. K. Jee / 2009 / Zinc and Tin-Zinc Via-Filling for the Formation of Through-Silicon Vias in a Systemin-Package / Journal of Electronic Materials 38 (5) : 685 ~ 690 google schola

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