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학술저널
저자정보
고영기 (한국생산기술연구원) 고용호 (한국생산기술연구원) 방정환 (한국생산기술연구원) 이창우 (한국생산기술연구원)
저널정보
대한용접·접합학회 대한용접·접합학회지 大韓熔接·接合學會誌 第32卷 第3號
발행연도
2014.6
수록면
19 - 26 (8page)

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Through Silicon Via (TSV) technology is the shortest interconnection technology which is compared with conventional wire bonding interconnection technology. Recently, this technology has been also noticed for the miniaturization of electronic devices, multi-functional and high performance. The short interconnection length of TSV achieve can implement a high density and power efficiency. Among the TSV technology, TSV filling process is important technology because the cost of TSV technology is depended on the filling process time and reliability. Various filling methods have been developed like as Cu electroplating method, molten solder insert method and Ti/W deposition method. In this paper, various TSV filling methods were introduced and each filling materials were discussed.
#3D packaging #TSV #Via filling technology

목차

Abstract
1. 서론
2. Via 충전 방법 및 재료
3. 결론
Reference

참고문헌 (26)

참고문헌 신청
1. [기타자료] - / 2008 / 3-D TSV Interconnects / yole development google schola 2. [기타자료] - / 2011 / 3D IC & TSV Technology / yole development google schola 3. [학술대회논문] - E. J. Vardaman / 2008 / Applications for TSV and Issues for Adoption / SEMATECH technical meeting google schola 4. [학술대회논문] - T. S. Oh / 2008 / Formation of Sn Through-Silicon-Vias for Chip Stack Packages / CEMP-IZM Workshop google schola 5. [학술지(정기간행물)] - P. Dixit / 2007 / Study of surface treatment processes for improvement in the wettability of silicon-based materials used in high aspect ratio through-via copper electroplating / Applied Surface Sicence 253 : 8637 ~ 8646 google schola

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