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기세호 (서울시립대학교) 신지오 (서울시립대학교) 정일호 (국방기술품질원) 김원중 (서울시립대학교) 정재필 (서울시립대학교)
저널정보
대한용접·접합학회 대한용접·접합학회지 大韓熔接·接合學會誌 第32卷 第3號
발행연도
2014.6
수록면
11 - 18 (8page)

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TSV(through silicon via) filling technology is making a hole in Si wafer and electrically connecting technique between front and back of Si die by filling with conductive metal. This technology allows that a three-dimensionally connected Si die can make without a large number of wire-bonding. These TSV technologies require various engineering skills such as forming a via hole, forming a functional thin film, filling a conductive metal, polishing a wafer, chip stacking and TSV reliability analysis. This paper addresses the TSV filling using Cu electrodeposition. The impact of plating conditions with additives and current density on electrodeposition will be considered. There are additives such as accelerator, inhibitor, leveler, etc. suitably controlling the amount of the additive is important. Also, in order to fill conductive material in whole TSV hole, current wave forms such as PR(pulse reverse), PPR(periodic pulse reverse) are used. This study about semiconductor packaging will be able to contribute to the commercialization of 3D TSV technology.
#Through silicon via #3D packating #Cu filling #Electrodeposition #Additive

목차

Abstract
1. 서론
2. 전해도금
3. TSV 충전을 위한 첨가제
4. TSV 충전기술
5. 결론
Reference

참고문헌 (18)

참고문헌 신청
1. [학술지(정기간행물)] - S. P. Robert / 2006 / Three-Dimensional Integrated Circuits and the Future of System-on-Chip Designs / Proceedings of the IEEE 94 (6) : 1214 ~ 1224 google schola 2. [학술지(정기간행물)] - W. R. Davis / 2005 / Demystifying 3D ICs: the pros and cons of going vertical / Design & Test of Computers 22 (6) : 498 ~ 510 google schola 3. [단행본] - P. Garrou / 2008 / Handbook of 3D Integration: Technology and Application of 3D Integrated Circuits Volume 1 & 2 / WILEY-VCH Verlag GmbH & Co : 22 ~ 35 google schola 4. [학술지(정기간행물)] - J. A. T. Norman / 2008 / New precursors for CVD copper metallization / Microelectron. Eng. 85 (100) : 2159 ~ 2163 google schola 5. [학술대회논문] - M. J. Wolf / 2008 / High aspect ratio TSV copper filling with different seed layers / Electronic Components and Technology Conference : 563 ~ 570 google schola

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