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저자정보
임종식 (순천향대학교) 권경훈 (순천향대학교) 정용채 (전북대학교) 안달 (순천향대학교)
저널정보
한국정보기술학회 한국정보기술학회논문지 한국정보기술학회논문지 제12권 제5호(JKIIT, Vol.12, No.5)
발행연도
2014.5
수록면
43 - 50 (8page)
DOI
10.14801/kiitr.2014.12.5.43

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본 논문에서는 결함접지구조(defected ground structure, DGS)와 가유전체 기판(artificial dielectric substrate, ADS) 구조를 결합하여 소형화 설계한 윌킨슨 전력 분배기에 대하여 언급한다. DGS는 전송선로의 단위길이당 인덕턴스를 증가시키고, 가유전체 기판은 주기적으로 배열된 금속도금된 비어홀(via-hole)들에 의하여 단위길이당 커패시턴스를 증가시킨다. 동일한 길이의 전송선로에 대하여 DGS와 가유전체 기판구조 모두 전기적 길이를 증가시키므로 원하는 전기적 길이를 얻기 위하여 물리적 길이를 줄여야 한다. 본 논문에서는 비유전율이 2.2이고 두께가 각각 5mils, 31mils인 두 유전체 기판을 이용하여 가유전체 기판구조를 형성한다. 설계된 전력 분배기 회로는 결함접지구조와 가유전체 기판구조만을 이용한 회로에 각각 55.67%와 79.43%의 크기를 갖는다. 측정된 전력분배비(S21, S31)는 각각 -3.19dB, -3.32dB이고, 입력측 정합과 출력단자간 격리도도 각각 -20.94dB, -23.11dB로 시뮬레이션된 S-파라미터와 유사하다.

목차

요약
Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. DGS와 가유전체 기판에 대한 소략(疏略)
Ⅲ. DGS로 소형화시킨 전력분배기 회로
Ⅳ. ADS로 소형화시킨 전력분배기 회로
Ⅴ. 결함접지구조와 가유전체 기판구조를 결합하여 소형화한 전력분배기
Ⅵ. 결론
References

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