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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2014.4
- 수록면
- 885 - 890 (6page)
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비대칭 이중게이트(double gate; DG) MOSFET의 문턱전압이하 스윙의 게이트 산화막 두께에 대한 변화를 고찰하였으며 이를 위하여 포아송방정식의 해석학적 전위분포를 구하였다. 특히 포아송방정식을 풀 때 도핑분포함수에 가우시안 함수를 적용함으로써 보다 실험값에 가깝게 해석하였다. 비대칭 DGMOSFET 소자는 대칭적 구조를 갖는 DGMOSFET와 달리 4단자 소자로서 상단과 하단의 게이트 산화막 두께 및 인가전압을 달리 설정할 수 있다. 비대칭 DGMOSFET의 문턱전압이하 스윙을 상·하단 게이트 산화막 두께 변화에 따라 관찰한 결과, 게이트 산화막 두께에 따라 문턱전압이하 스윙은 크게 변화하는 것을 알 수 있었다. 특히 상·하단 게이트 산화막 두께가 증가할 때 문턱 전압이하 스윙 값도 증가하였으며 상단 게이트 산화막 두께의 변화가 문턱전압이하 스윙 값에 더욱 큰 영향을 미치고 있다는 것을 알 수 있었다.
목차
요약
ABSTRACT
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 비대칭 DGMOSFET의 전위분포 및 문턱전 압이하 스윙 모델
Ⅲ. 비대칭 DGMOSFET의 문턱전압이하 스윙 분석
Ⅳ. 결론
REFERENCES
참고문헌 (7)
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1. [학술지(정기간행물)] - N. Chevillon / 2012 / Generalization of the Concept of Equivalent Thickness and Capacitance to Multigate MOSFETs Modeling / IEEE Electron Devices 59 (1) : 60 ~ 71
2. [학술대회논문] - M. Schwarz / 2011 / 2D Analytical Framework for Compact Modeling of the Electrostatics in Undoped DG MOSFETs / 18th International conference Mixed Design of Integrated Circuits and Systems : 405 ~ 410
3. [학술대회논문] - P. K. Tiwari / 2009 / A 2D Analytical Model of the Channel Potential and Threshold Voltage of Double-Gate(DG) MOSFETs with Vertical Gaussian Doping Profile / IMPACT-2009 : 52 ~ 55
4. [학술지(정기간행물)] - Z. Ding / 2011 / An analytical model for channel potential and subthreshold swing of the symmetric and asymmetric double-gate MOSFETs / Microelectronics J 42 : 515 ~ 519
5. [학술지(정기간행물)] - R. Vaddi / 2011 / Analytical modeling of subthreshold current and subthreshold swing of an underlap DGMOSFET with tied-independent gate and symmetricasymmetric options / Microelectronics J 42 : 798 ~ 807
2. [학술대회논문] - M. Schwarz / 2011 / 2D Analytical Framework for Compact Modeling of the Electrostatics in Undoped DG MOSFETs / 18th International conference Mixed Design of Integrated Circuits and Systems : 405 ~ 410
3. [학술대회논문] - P. K. Tiwari / 2009 / A 2D Analytical Model of the Channel Potential and Threshold Voltage of Double-Gate(DG) MOSFETs with Vertical Gaussian Doping Profile / IMPACT-2009 : 52 ~ 55
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5. [학술지(정기간행물)] - R. Vaddi / 2011 / Analytical modeling of subthreshold current and subthreshold swing of an underlap DGMOSFET with tied-independent gate and symmetricasymmetric options / Microelectronics J 42 : 798 ~ 807
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