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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2014.3
- 수록면
- 31 - 37 (7page)
- DOI
- 10.14801/kiitr.2014.12.3.31
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LED는 저 전력, 긴 수명, 고 휘도, 빠른 응답, 친환경적인 특성의 장점을 갖고 있어 여러 분야에 사용되고 있다. 이를 위하여 LED 칩(chip)의 고효율화와 더불어 응용 시스템에서의 방열 특성이 우수해야 시스템의 수명을 보장할 수 있다. LED조명 시스템을 설계할 때, 방열설계는 중요한 과정 중의 하나이다. 기존 금속소재로 방열체를 제작하게 되면 경량화 설계의 한계가 있다. LED 조명의 단점인 금속 방열체로 인한 높은 무게 문제를 해결하고 장기적으로는 낮은 제조비용으로 LED조명이 조기 보급되는데 기여할 것이라고 평가되었다. 평가 결과, 일반 플라스틱에 금속을 도금하여 만든 방열체는 PCB 64.1℃, 방열체 57.9℃로 방열 특성이 가장 낮게 평가되었다. 열전도가 우수할수록 PCB와 방열체 사이, 방열체 중심부와 가장자리 사이의 온도 편차가 작게 나타나고 있음을 알 수 있었다.
목차
요약
Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. LED 조명 시스템
Ⅲ. 방열체의 제작 및 특성
Ⅳ. 결론
References
참고문헌 (17)
참고문헌 신청
1. [학술지(정기간행물)] - 류장렬 / 2011 / 의료기기에 사용하는 LED의 배열방식에 따른 성능 분석 / 한국정보기술학회논문지 9 (4) : 51 ~ 56
2. [학술지(정기간행물)] - 류장렬 / 2012 / Side Etching 공정을 통한 GaN⁃기반 백색 LED 칩의 성능 개선 / 한국정보기술학회논문지 10 (01) : 01 ~ 06
3. [학술지(정기간행물)] - Y. J. Lee / 2006 / Enhancing the Output Power of GaN-based LEDs Grown on Wet-Etched Pattrened Sapphire Substrates / IEEE PHOTONIC TECHNOLOGY LETTERS 18 (10) : 2289 ~ 2291
4. [학술지(정기간행물)] - T. Egawa / 2005 / High Performance of InGaN LEDs on(111)Silicon Substrate grown by MOCVD / IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS 26 (3) : 169 ~ 171
5. [학술지(정기간행물)] - H. G. kim / 2008 / Improved GaN-Based LED Light Extraction Efficiencies via Selective MOCVD Using Peripheral Microhole Arrays / IEEE PHOTONIC TECHNOLOGY LETTERS 20 (15) : 1284 ~ 1286
2. [학술지(정기간행물)] - 류장렬 / 2012 / Side Etching 공정을 통한 GaN⁃기반 백색 LED 칩의 성능 개선 / 한국정보기술학회논문지 10 (01) : 01 ~ 06
3. [학술지(정기간행물)] - Y. J. Lee / 2006 / Enhancing the Output Power of GaN-based LEDs Grown on Wet-Etched Pattrened Sapphire Substrates / IEEE PHOTONIC TECHNOLOGY LETTERS 18 (10) : 2289 ~ 2291
4. [학술지(정기간행물)] - T. Egawa / 2005 / High Performance of InGaN LEDs on(111)Silicon Substrate grown by MOCVD / IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS 26 (3) : 169 ~ 171
5. [학술지(정기간행물)] - H. G. kim / 2008 / Improved GaN-Based LED Light Extraction Efficiencies via Selective MOCVD Using Peripheral Microhole Arrays / IEEE PHOTONIC TECHNOLOGY LETTERS 20 (15) : 1284 ~ 1286
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