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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술대회자료
- 저자정보
- 발행연도
- 2013.12
- 수록면
- 3,950 - 3,953 (4page)
이용수
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As the gate length of field-effect transistors (FETs) has been scaled down below 50 nm, the characterization of selfheating problems becomes a great challenge. Due to the lack of quantitative measurement technique at nanoscale, the estimation of hot spot behavior in FETs mostly relies on model based on the Boltzmann transport equation (BTE). However, significant inconsistencies are founded in the estimated temperatures of the hot spot due to the different approximations adopted in the BTE models. Herein, we investigate the behavior and temperature of the hot spot by profiling the temperature distribution across the electrically heated nano-heater patterned on the Silicon-On-Insulator with the null point scanning thermal microscopy, which can quantitatively measure the temperature profile with nanoscale resolution. By comparing the experimentally obtained temperature profile with modeled one with BTE, we can provide the standard approximation for the optimized thermal design of nano-electronic devices.
목차
Abstract
1. 서론
2. 계측 원리
3. 시편 제작 및 실험 결과
4. 결론
참고문헌
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