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논문 기본 정보

자료유형
학술대회자료
저자정보
채희범 (고려대학교) 황광석 (고려대학교) 권오명 (고려대학교)
저널정보
대한기계학회 대한기계학회 춘추학술대회 대한기계학회 2013년도 학술대회
발행연도
2013.12
수록면
3,946 - 3,949 (4page)

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For graphene-based electronic devices, it is crucial to analyze the heat transport in graphene in sub-micrometer scale. The heat transport in sub-micrometer graphene devices depends on the characteristic length of the device. As the characteristic length of the device approaches and even gets smaller than the phonon mean free path in graphene, the heat transport in the device becomes ballistic and the thermal conductivity of graphene changes accordingly. Herein, we experimentally observe the ballistic heat transport in graphene by measuring the thermal conductivity of submicrometer CVD-grown graphene bridges. Phonon mean free path of graphene has been predicted to be in the range of 250 ~ 800 nm. However, it is impossible to measure thermal conductivity of graphene in the sub-micrometer scale using optothermal Raman, which has relatively low temperature sensitivity and spatial resolution of about 1 μm. We make the suspended graphene bridges on nano-trenches, heat the bridges electrically, and accurately measure the power applied to the graphene with four-probe configuration. Also, we profile the temperature distribution across graphene bridge by null point scanning thermal microscopy (NP SThM) with ~50 nm resolution and quantitatively measure thermal conductivity using the measured power and temperature profile. In this study, we fabricate the graphene bridges with various lengths ranging from 100 nm to 2 μm and observe the ballistic heat transport.

목차

Abstract
1. 서론
2. 계측 원리
3. 시편 제작
4. 논의할 점과 향후 계획
참고문헌

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