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학술대회자료
저자정보
김윤 (서울대학교) 윤장근 (서울대학교) 박세환 (서울대학교) 김완동 (서울대학교) 박병국 (서울대학교)
저널정보
대한전자공학회 대한전자공학회 학술대회 2010년도 대한전자공학회 하계종합학술대회
발행연도
2010.6
수록면
730 - 733 (4page)

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이 논문의 연구 히스토리 (3)

2011

3차원 적층 NAND 플래시 메모리의 설계 및 특성 분석
김윤 ,  박세환 ,  김완동 외 2명 대한전자공학회 학술대회 2011.11 학술대회자료

2010

3차원으로 적층된 수직형 NAND 플래시 메모리 특성 분석
김윤 ,  윤장근 ,  박세환 외 2명 대한전자공학회 학술대회 2010.06 학술대회자료
3차원으로 적층된 수직형 NAND 플래시 메모리 특성 분석
김윤 ,  윤장근 ,  박세환 외 2명 대한전자공학회 학술대회 2010.06 학술대회자료

초록· 키워드

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The characteristic of vertical NAND flash memory cell array is investigated by numerical simulation. The gap size between word lines should be reduced for bit line current drivability. Also, channel hole size is the critical parameter that determine program speed. These results will be the important issues of the 3D stacked vertical NAND array for reliable memory operation.

목차

Abstract
I. 서론
II. 본론
Ⅲ. 결론
참고문헌

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