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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 저널정보
- 대한전자공학회 JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE Journal of Semiconductor Technology and Science Vol.13 No.6
- 발행연도
- 2013.12
- 수록면
- 668 - 675 (8page)
이용수
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We investigate the effect of the ageing time and etching time on the etching rate of SiGe mixed etching solution, namely 1 vp HF (6%), 2 vp H₂O₂ (30%) and 3 vp CH₃COOH (99.8%). For this etching solution, we found that the etch rate of SiGe layer is saturated after the ageing time of 72 hours, and the selectivity of Si<SUB>0.8</SUB>Ge<SUB>0.2</SUB> layer and Si layer is 20:1 at ageing time of 72 hours. The collapse was appeared at the etching time of 9min with etching solution of after saturation ageing time.
목차
Abstract
I. INTRODUCTION
II. EXPERIMENT
III. RESULT AND DISCUSSION
IV. CONCLUSIONS
REFERENCES
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