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이다혁 (인하대학교) 김명수 (인하대학교) 한장환 (인하대학교) 오범환 (인하대학교) 이승걸 (인하대학교) 이일항 (인하대학교) 박세근 (인하대학교) 조정희 (PSK Inc) 양승국 (PSK Inc)
저널정보
대한전자공학회 대한전자공학회 학술대회 2011년도 대한전자공학회 추계종합학술대회
발행연도
2011.11
수록면
284 - 287 (4page)

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It is very important to know gas flow dynamics in a reaction chamber of dry etching or chemical vapor deposition. In this work, dual chamber for photoresist stripping process is modeled and its neutral gas flow patterns are analyzed using CFdesign simulator. Each chamber has a hollow cathode on top and wafer stage on bottom. For photoresist stripping H2 gas is used and inlet gas flow rate is 2000 sccm and chamber pressure 2.2 torr. Velocity and flux of neutral H2 gas molecules on wafer stage and overal flow patterns from gas inlet to chamber exhaust are studied.

목차

Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 본론
Ⅲ. 결론
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