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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술대회자료
- 저자정보
- 발행연도
- 2011.6
- 수록면
- 519 - 522 (4page)
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본 논문에서는 액침 노광기(immersion scanner)를 이용한 실험을 통해 이머전 리소그라피(immersion lithography) 공정 불량의 제어 인자를 발굴하고, 그 관계를 규명하였다. 이머전 리소그라피는 약 1.35의 높은 NA 값을 사용 가능하게 하여 기존 ArF 시스템(dry ArF system)에서 개구수(numerical aperture; NA)가 1이하로 제한되던 한계를 극복하였지만, 물이라는 매질을 사용함으로써 수반되는 물 속의 공기방울(air bubble) 및 미세입자(particle)로 인해 기존과는 다른 새로운 종류의 불량도 야기되었다. 외부로부터 유입되는 미세입자는 필터와 청정 관리에 의해 기본적으로 제어 가능하지만, 이머전 시스템(immersion system) 내부에서 발생하는 공기방울은 wafer 표면을 이동하며 노광 중에 이머전 불량을 유발시키게 된다. 이에 우리는 ASML社 XT 1900Gi 모델의 노광기를 이용하여 이머전 불량(immersion defect) 발생에 직접적으로 연관되는 다음의 요인들을 실험적으로 규명하였다. 첫째, wafer 외곽 측의 배수압(BES pressure) 변화, 둘째, wafer edge와 wafer가 안착되는 wafer table외곽과의 유격(gap) 변화이다. 우리는 이 두 가지 인자를 제어함으로써 이머전 불량 발생을 감소시킬 수 있었다.
목차
요약
1. 서론
2. 공기 방울 기인 이머전 불량의 제어
3. 결론
4. 실험
5. 참고 문헌
참고문헌 (0)
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