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정의석 (고려대학교) 이경운 (고려대학교) 이동호 (고려대학교) 강찬민 (고려대학교) 윤민성 (고려대학교) 김슬기 (고려대학교) 박정호 (고려대학교)
저널정보
대한전자공학회 대한전자공학회 학술대회 2012년도 대한전자공학회 하계종합학술대회
발행연도
2012.6
수록면
159 - 162 (4page)

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We propose a high speed Si optical modulator using Nickel Schottky contact. The device is simply a 200um long silicon waveguide with a Schottky diode integrated in it. Modulation is achieved through free-carrier absorption, not interference effects. The modulator is realized by integrating a Schottky contact into the waveguide to control the free-carrier density. To achieve high-speed performance, a travelling-wave design is used to allow co-propagation of electrical and optical signals along the waveguide. The high overlap between the modulated carrier density and the optical mode enables high speed(<25GHz), modulation depths of 7.38 dB with insertion loss of 3.56dB.

목차

Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 본론
Ⅲ. 결론 및 향후 연구 방향
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