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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2004.11
- 수록면
- 1,448 - 1,452 (5page)
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목차
요약
ABSTRACT
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 크롬실리사이드 광 다이오드 제조
Ⅲ. 크롬실리사이드 광 다이오드 구조 및 특성
Ⅳ. 결론
참고문헌
참고문헌 (6)
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[학술지(정기간행물)] - / apr.1994. / Method of Making Thin Film Transistors patent (5)
[학술지(정기간행물)] - / 1998. / Process integration of a-Si:H Schottky diode and thin film transistor for low energy x-ray imaging applications
[학술지(정기간행물)] - / 1989 / 강유전성 PbTiO3 박막의 형성 및 게면특성 26 (7) : 83 ~ 89
[학술지(정기간행물)] - / 1997. / a-Si:H Schottky diode direct detection pixel for large area x-ray imaging
[학술지(정기간행물)] - / 1999. / 게이트 산화막에 따른 n-MOSFET 의 금속 플라즈마 피해 3 (2) : 471 ~ 475
[학술지(정기간행물)] - / 1998. / Process integration of a-Si:H Schottky diode and thin film transistor for low energy x-ray imaging applications
[학술지(정기간행물)] - / 1989 / 강유전성 PbTiO3 박막의 형성 및 게면특성 26 (7) : 83 ~ 89
[학술지(정기간행물)] - / 1997. / a-Si:H Schottky diode direct detection pixel for large area x-ray imaging
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