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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
허창우 (목원대학교) 박춘식 (신방일렉트로닉스)
저널정보
한국정보통신학회 한국정보통신학회논문지 한국정보통신학회논문지 제13권 제6호
발행연도
2009.6
수록면
1,123 - 1,127 (5page)

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본 연구는 비정질실리콘 박막트랜지스터를 비휘발성 메모리소자로 제작함으로써 스위칭 소자로 사용되는 박막 트랜지스터(TFT)의 응용범위를 확대시키고, 비정질 실리콘 사용에 따라 대면적화에 적합하고 아울러 값싼 기판을 사용할 수 있게 한 비정질 실리콘 비휘발성 메모리소자에 관한 것이다. 이와 같은 본 연구는 유리기판과 그 유리기판위에 증착시켜 패터닝한 게이트, 그 게이트를 덮어씌운 제1 절연층, 그 제1 절연층위에 증착시켜 패터닝한 플로우팅 게이트와 그 플로우팅 게이트를 덮어씌운 제2 절연층, 그 제2 절연층위에 비정질실리콘을 증착시킨 액티브층과 그 액티브층위에 n+ 비정질실리콘을 증착시켜 패터닝한 소오스/드레인층 그리고 소오스/드레인층 위에 증착시킨 소오스/드레인층 전극으로 비정질실리콘 박막트랜지스터 비휘발성 메모리소자를 구성한다.
#비정질 실리콘 박막 트랜지스터 #비휘발성 메모리소자 #Inverted Staggered 형 #플로우팅 게이트 #대면적화

목차

요약
ABSTRACT
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 비정질실리콘 박막트랜지스터 비휘발성 메모리소자의 제조 및 특서
Ⅲ. 결론
참고문헌

참고문헌 (9)

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1. [학술대회논문] - A. Thean / 2002 / Flash memory: towards singleelectronics / IEEE Potentials : 35 ~ 41 google schola 2. [학술대회논문] - S. J. Baik / 2003 / High speed and nonvolatile Si nanocrystal memory for scaled flash technology using highly field-sensitive tunnel barrier / IEDM Tech. Dig. : 545 ~ 548 google schola 3. [기타자료] - / 2002 / Nikkei Microdevice Vol. 2 google schola 4. [기타자료] - / 2005 / Memory Strategies International google schola 5. [기타자료] - / / International Technology Roadmap for Semiconductors 2004 Edition google schola

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