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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2012.5
- 수록면
- 982 - 988 (7page)
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본 연구에서는 이중게이트(Double Gate; DG) MOSFET에서 문턱전압과 스켈링 이론의 관계를 관찰하였다. 기존 MOSFET의 경우 채널크기에 스켈링 이론을 적용하여 전류 및 스위칭주파수를 해석하였다. 이에 본 연구에서는 이중게이트 MOSFET에서 문턱전압의 경우 스켈링 이론의 적용가능성을 관찰하기 위하여 문턱전압의 변화를 스켈링 인자에 따라 관찰하고 분석하였다. 이를 위하여 이미 검증된 포아송방정식의 해석학적 전위분포를 이용하였으며 이때 가우스함수의 전하분포를 사용하였다. 분석결과 문턱전압이 스켈링 인자에 따라 크게 변화하였으며 변화정도는 도핑농도의 스켈링에 따라 변화한다는 것을 관찰하였다. 특히 이중게이트의 특성상 채널두께 및 채널길이에 스켈링 이론을 적용할 때 가중치를 이용한 변형된 스켈링 이론을 적용함으로써 이중게이트 MOSFET에 가장 타당한 스켈링 이론에 대하여 설명할 것이다.
목차
요약
ABSTRACT
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 문턱전압 모델과 스켈링 이론
Ⅲ. 스켈링이론에 따른 문턱전압의 변화
Ⅳ. 결론
참고문헌
참고문헌 (8)
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1. [학술지(정기간행물)] - U.Monga / 2009 / Compact Sub- threshold Current Modeling of Short-Channel Nanoscale Double-Gate MOSFET / IEEE Trans. on Elec. Devices 56 (7) : 1533 ~ 1537
2. [학술대회논문] - Z.Ding / 2010 / An Analytical Model for the Subthreshold Swing of Double-Gate MOSFETs / IWJT-2010
3. [학술대회논문] - T.Dutta / 2009 / Double Gate Underlap FinFET Device Optimization and Application in SRAM Design at 15nm / 2009 int’l conference on Emerging Trends in Electronic and Photonic Device & Systems : 66 ~ 69
4. [학술지(정기간행물)] - S.H.Oh / 2000 / Analytic Description of Short-Channel Effects in Fully-Depleted Double-Gate and Cylindrical, Surrounding-Gate MOSFETs / IEEE Electron Device Letters 21 (9) : 445 ~ 447
5. [학술대회논문] - M.A.Abdi / 2010 / An analytical subthreshold swing model to study the scalability limits of double-gate MOSFETs including bulk traps effects / 2010 Int’l conference on Design & Technology of Integrated Systems in Nanoscales Era : 1 ~ 6
2. [학술대회논문] - Z.Ding / 2010 / An Analytical Model for the Subthreshold Swing of Double-Gate MOSFETs / IWJT-2010
3. [학술대회논문] - T.Dutta / 2009 / Double Gate Underlap FinFET Device Optimization and Application in SRAM Design at 15nm / 2009 int’l conference on Emerging Trends in Electronic and Photonic Device & Systems : 66 ~ 69
4. [학술지(정기간행물)] - S.H.Oh / 2000 / Analytic Description of Short-Channel Effects in Fully-Depleted Double-Gate and Cylindrical, Surrounding-Gate MOSFETs / IEEE Electron Device Letters 21 (9) : 445 ~ 447
5. [학술대회논문] - M.A.Abdi / 2010 / An analytical subthreshold swing model to study the scalability limits of double-gate MOSFETs including bulk traps effects / 2010 Int’l conference on Design & Technology of Integrated Systems in Nanoscales Era : 1 ~ 6
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