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한국정보통신학회 한국정보통신학회논문지 한국정보통신학회논문지 제16권 제10호
발행연도
2012.10
수록면
2,247 - 2,252 (6page)

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본 논문은 동시진공증발법(co-evaporation method)으로 CIGS 박막(thin film)을 제작을 하였다. 제작과정 중 기판 온도(substrate temperature)변화와 Ga/(In+Ga) 조성비(composition ratio) 변화에 따른 저항율(resistivity) 및 흡수스펙트럼(absorbance spectra)을 측정하였다. 기판온도가 상승하면 저항율이 감소하였으며, Ga/(In+Ga) 조성비가 0.30에서 0.72까지 증가됨에 따라 밴드갭(band gap)이 1.26eV, 1.30eV, 1.43eV,1.47eV로 증가됨을 알 수 가 있었다. 동일한 조건에서 조성비를 증가하므로써 두께가 증가되었으며 저항율은 감소하였다. 본 실험을 통하여 CIGS 박막을 제작하면 광흡수률(optical absorbance ratio) 및 광전류(optical current)가 증가 될 것으로 예측할 수가 있다.
#저항율 #흡수스펙트럼 #기판온도 #밴드갭 #resistivity #absorbance spectra #substrate temperature #band gap

목차

요약
ABSTRACT
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 실험방법
Ⅲ. 결과 및 고찰
Ⅳ. 결론
참고문헌

참고문헌 (13)

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박정철 / 2010 / 기판온도에 따른 CuInSe2 박막의 특성 / 전기전자재료학회논문지 23(11):911~914 dbpia H.Monig / 2011 / Nanoscale investigtions of the electronic surface properties of Cu(In,Ga)Se2 thihn film by scanning tunneling spectroscopy / Solar Energy Materials & Solar cells 95:1537~1543 google schola L.Gutay / 2010 / Subgrain size inhomogeneities in the luminesence spectra of thin film chalcopyrites / Appl. Phys. Lett. :97 google schola D.A.Ras / 2009 / Impact of the Se evaporation rate in the microstructure and texture of Cu(In, Ge)Se2 thin films for solar cells / Thin Solid Films 517:2218~2221 google schola M.Chandramohan / 2010 / Experimental and theoretical investigations of structural and optical properties of CIGS thin films / Materials Science and Engineering google schola

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