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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2012.1
- 수록면
- 127 - 132 (6page)
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본 논문에서는, 초고집적 MOSFET를 위한 향상된 얕은 트랜치 접합 격리에서 높은 임계전압을 위한 활성영역부분의 제안된 구조의 가장자리 효과를 시뮬레이션 하였다. 얕은 접합 격리는 트랜지스터와 트랜지스터 사이에서 전기적 격리를 하기 때문에 쌍보형-모스 기술에서 중요한 공정 요소이다.
시뮬레이션 결과, 얕은 트랜치 접합 격리 구조가 수동적인 전기적 기능 일지라도, 소자의 크기가 감소됨에 따라서, 초대규모 집적회로 공정의 응용에서 제안된 얕은 트랜치 격리 구조에서 전기적 특성의 영향은 전위차, 전계와 포화 임계 전압에서 높게 나타났다.
시뮬레이션 결과, 얕은 트랜치 접합 격리 구조가 수동적인 전기적 기능 일지라도, 소자의 크기가 감소됨에 따라서, 초대규모 집적회로 공정의 응용에서 제안된 얕은 트랜치 격리 구조에서 전기적 특성의 영향은 전위차, 전계와 포화 임계 전압에서 높게 나타났다.
목차
요약
ABSTRACT
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 격리 공정 시뮬레이션
Ⅲ. 결과 및 고찰
Ⅳ. 결론
참고문헌
참고문헌 (5)
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1. [학술지(정기간행물)] - A. Asenov / 2010 / Simulation of Statistical Aspects of Charge Trapping and Related Degradation in Bulk MOSFETs in the Presence of Random Discrete Dopants / IEEE Trans. on ED 57 (4) : 795 ~ 803
2. [학술지(정기간행물)] - Jiying Xue / 2011 / A Framework for Layout-Dependent STI Stress Analysis and Stress-Aware Circuit Optimization / IEEE Trans. ED on Very Large Scale Integration (VLSI) Systems : 1 ~ 13
3. [학술대회논문] - Andrew B. Kahng / 2007 / Exploiting STI Stress for Performance / 2007 IEEE IEDM : 83 ~ 90
4. [학술지(정기간행물)] - Chen-Yu Hsieh / 2009 / Distinguishing Between STI Stress and Delta Width in Gate Direct Tunneling Current of n-MOSFETs / IEEE ED Letters 30 (5) : 529 ~ 531
5. [학술지(정기간행물)] - V. C. Su / 2008 / Shallow-Trench-Isolation(STI)- Induced Mechanical-Stress-Related Kink- Effect Behaviors of 40-nm PD SOI NMOS Device / IEEE Trans. on Electron Devices 55 (6) : 1588 ~ 1562
2. [학술지(정기간행물)] - Jiying Xue / 2011 / A Framework for Layout-Dependent STI Stress Analysis and Stress-Aware Circuit Optimization / IEEE Trans. ED on Very Large Scale Integration (VLSI) Systems : 1 ~ 13
3. [학술대회논문] - Andrew B. Kahng / 2007 / Exploiting STI Stress for Performance / 2007 IEEE IEDM : 83 ~ 90
4. [학술지(정기간행물)] - Chen-Yu Hsieh / 2009 / Distinguishing Between STI Stress and Delta Width in Gate Direct Tunneling Current of n-MOSFETs / IEEE ED Letters 30 (5) : 529 ~ 531
5. [학술지(정기간행물)] - V. C. Su / 2008 / Shallow-Trench-Isolation(STI)- Induced Mechanical-Stress-Related Kink- Effect Behaviors of 40-nm PD SOI NMOS Device / IEEE Trans. on Electron Devices 55 (6) : 1588 ~ 1562
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