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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2011.10
- 수록면
- 2,217 - 2,222 (6page)
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본 연구에서는 이중게이트(Double Gate; DG)MOSFET의 채널내 전위와 전하분포의 관계를 가우스 함수를 이용한 포아송방정식으로부터 유도하고자 한다. 즉, 도핑분포는 가우스 함수를 이용하였으며 변수인 이온주입범위 및 분포편차에 대하여 문턱전압이하 스윙과 산화막 두께의 관계를 관찰하고자 한다. 포아송방정식으로부터 해석학적 전위분포 모델을 구하였으며 이를 이용하여 산화막 두께에 대한 문턱전압이하 스윙값의 변화를 구하였다. 문턱전압이하 스윙은 게이트전압에 대한 드레인전류의 변화를 나타내고 이론적으론 최소값 60 ㎷/dec을 나타내며 디지털소자응용에 매우 중요한 요소이다. 본 연구의 모델이 타당하다는 것을 입증하기 위하여 포텐셜 분포값을 수치해석학적 값과 비교하였다. 결과적으로 본 연구에서 제시한 포텐셜모델이 수치해석학적 시뮬레이션모델과 매우 잘 일치하였으며 도핑분포에 따라 문턱전압이하 스윙과 산화막두께의 관계를 분석하였다.
목차
요약
ABSTRACT
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 가우스 함수를 이용한 포아송방정식의 해
Ⅲ. 문턱전압이하 스윙에 관한 고찰
Ⅳ. 결론
참고문헌
참고문헌 (7)
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1. [학술대회논문] - S.Namana / 2010 / A Subthreshold Surface Potential Modeling of Drain/Source Edge Effect on Double Gate MOS Transistor / 2010 International Conference on Electronics and Information Engineering : 87 ~ 91
3. [학술지(정기간행물)] - U.Monga / 2009 / Compact Subthreshold Current Modeling of Short-Channel Nanoscale Double-Gate MOSFET / IEEE Tran. Electron Devices 56 (7) : 1533 ~ 1537
4. [학술대회논문] - P.K. Tiwari / 2009 / A 2D Analytical Model of the Channel Potential and Threshold Voltage of Double-Gate(DG) MOSFETs with Vertical Gaussian Doping Profile / IMPACT-2009 : 52 ~ 55
5. [학술지(정기간행물)] - 정학기 / 2011 / Analysis of Doping Profile Dependent Threshold Voltage for DGMOSFET Using Gaussian Function / Journal of Information and Communication Convergence Engineering 9 (3) : 310 ~ 314
6. [학술지(정기간행물)] - H.K.Jung / 2006 / Analysis of Subthreshold Carrier Transport for Ultimate DGMOSFET / IEEE Tran. Electron Devices 53 (4) : 685 ~ 691
3. [학술지(정기간행물)] - U.Monga / 2009 / Compact Subthreshold Current Modeling of Short-Channel Nanoscale Double-Gate MOSFET / IEEE Tran. Electron Devices 56 (7) : 1533 ~ 1537
4. [학술대회논문] - P.K. Tiwari / 2009 / A 2D Analytical Model of the Channel Potential and Threshold Voltage of Double-Gate(DG) MOSFETs with Vertical Gaussian Doping Profile / IMPACT-2009 : 52 ~ 55
5. [학술지(정기간행물)] - 정학기 / 2011 / Analysis of Doping Profile Dependent Threshold Voltage for DGMOSFET Using Gaussian Function / Journal of Information and Communication Convergence Engineering 9 (3) : 310 ~ 314
6. [학술지(정기간행물)] - H.K.Jung / 2006 / Analysis of Subthreshold Carrier Transport for Ultimate DGMOSFET / IEEE Tran. Electron Devices 53 (4) : 685 ~ 691
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