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저자정보
Byung Kyu Park (Myongji University) Woo Young Choi (Sogang Unviersity) Eou Sik Cho (Gachon University) Il Hwan Cho (Myongji University)
저널정보
대한전자공학회 JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE Journal of Semiconductor Technology and Science Vol.13 No.4
발행연도
2013.8
수록면
410 - 414 (5page)

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We report the wet etching of titanium nickel (TiNi) films for the production of nano-electro-mechanical (NEM) device. SiO<SUB>2</SUB> and Si<SUB>3</SUB>N<SUB>4</SUB> have been selected as sacrificial layers of TiNi metal and etched with polyethylene glycol and hydrofluoric acid (HF) mixed solution. Volume percentage of HF are varied from 10% to 35% and the etch rate of the SiO<SUB>2</SUB>, Si<SUB>3</SUB>N<SUB>4</SUB> and TiNi are reported here. Within the various experiment results, 15% HF mixed polyethylene glycol solution show highest etch ratio between sacrificial layre and TiNi metal. Especially Si<SUB>3</SUB>N<SUB>4</SUB> films shows high etch ratio with TiNi films. Wet etching results are measured with SEM inspection. Therefore, this experiment provides a novel method for TiNi in the nano-electro-mechanical device.

목차

Abstract
Ⅰ. INTRODUCTION
Ⅱ. EXPERIMENT
Ⅲ. RESULTS AND DISCUSSION
Ⅳ. CONCLUSIONS
REFERENCES

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