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논문 기본 정보

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저널정보
대한전자공학회 JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE Journal of Semiconductor Technology and Science Vol.13 No.4
발행연도
2013.8
수록면
263 - 271 (9page)

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A low dropout regulator (LDO) with fast transient responses is presented. The proposed LDO eliminates the trade-off between slew rate and unity gain bandwidth, which are the key parameters for fast transient responses. In the proposed buffer, by changing the slew current path, the slew rate and unity gain bandwidth can be controlled independently. Implemented in 0.18- ㎛ high voltage CMOS, the proposed LDO shows up to 200 ㎃ load current with 0.2V dropout voltage for 1㎌ output capacitance. The measured maximum transient output voltage variation, minimum quiescent current at no load condition, and maximum unity gain frequency are 24 ㎷, 7.5㎂, and higher than 1 ㎒, respectively.

목차

Abstract
Ⅰ. INTRODUCTION
Ⅱ. PRINCIPLE OF THE PROPOSED LDO WITH CHANGE IN SLEW CURRENT PATH
Ⅲ. LDO DESIGN AND MEASUREMENT RESULTS
Ⅳ. CONCLUSIONS
REFERENCES

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UCI(KEPA) : I410-ECN-0101-2014-560-002404817