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장인혁 (조선대학교) 김수경 (한국기계전기전자시험연구원) 한지훈 (한국기계전기전자시험연구) 이창훈 (한국기계전기전자시험연구원) 임홍우 (한국기계전기전자시험연구원)
저널정보
한국신뢰성학회 신뢰성응용연구 신뢰성응용연구 제13권 제2호
발행연도
2013.6
수록면
117 - 127 (11page)

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In this paper, we studied the correlation between the activation energy(E<SUB>a</SUB>) of the raw materials and the structural characteristics of the White LED PKGs. The samples used in the study were composed of low power LED 3type and high power LED 5type. To calculate the activation energy(E<SUB>a</SUB>) of the White LED PKGs conducted three conditions of high temperature operation test based on the Arrhenius model. The number of samples used in the experiment is 10, respectively. The T<SUB>j</SUB> of Conditions and target specifics expressed T<SUB>j1</SUB>, T<SUB>j2</SUB>, T<SUB>j3</SUB>. The activation energy (E<SUB>a</SUB>) of the samples was calculated based on the value of the actually measured lifetime. We investigated the correlation between the activation energy (E<SUB>a</SUB>) of the raw materials and the structural characteristics of the White LED PKGs. As a result, White LED PKGs activation energy(E<SUB>a</SUB>) value was confirmed that the material properties affected more than the structural characteristics of the LED PKGs and we found that activation energy of each LED Model has difference. Normally, The activation energy of phosphor of YAG type was indicated from 0.21 to 0.25[eV] and Silicate type was indicated from 0.12 to 0.16[eV]. According to the results, we confirmed that the activation energy of phosphor of YAG type is higher more than The activation energy of phosphor of Silicate type.
#Activation energy #Arrhenius model #Silicate #YAG #White LED

목차

Abstract
1. 서론
2. 시험 설계
3. 구현 및 시험
4. 시험 결과
5. 결론
참고문헌

참고문헌 (7)

참고문헌 신청
1. [보고서] - 주은철 / 2011 / LED/OLED 최신 산업동향 및 혁신기술 동향분석 google schola 2. [학술지(정기간행물)] - L. Trevisanello / 2008 / Accelerated Life Test of High Brightness Light Emitting Diodes / IEEE TRANSACTIONS ON DEVICE AND MATERIALS RELIABILITY 8 (2) google schola 3. [학술지(정기간행물)] - M. Meneghini / 2010 / A Review on the Physocal Mechanisms That Limit the Reliability if GaN-Based LEDs / IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES 57 (1) google schola 4. [학술지(정기간행물)] - J. Liu / 2009 / Temperature-dependent light-emitting characteristics of InGaN/GaN diodes / Microelectronics Reliability 49 : 38 ~ 41 google schola 5. [학술지(정기간행물)] - J. M. Kang / 2009 / Life-time estimation of high-power blue light-emitting diode chips / Microelectronics Reliability 49 : 1231 ~ 1235 google schola

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