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본 논문에서는 본 연구실에서 제안된 D㎛my Gate Assisted MOSFET을 이용하여 6bit SAR (Successive Approximation Register) ADC를 설계하였으며 이에 대한 대조군으로 Conventional MOSFET으로 동일한 회로를 설계하여 두 회로의 Co-60 Gamma Ray에 의한 누적방사선 영향을 비교 분석해 보았다. 설계된 SAR ADC는 Binary Capacitor DAC과 Dynamic Latch 형태의 Comparator 그리고 Logic으로 구성이 되었으며, 0.35㎛ standard CMOS공정으로 제작되었다. 방사선 조사 후 Conventional MOSFET을 이용한 ADC는 정상동작하지 못하였지만, Dummy Gate Assisted MOSFET을 사용한 ADC는 방사선 조사 후 DNL은 0.7LSB에서 2.0LSB, INL은 1.8LSB에서 3.2LSB로 다소 증가하였으나 정상적인 A/D 변환이 가능하다는 것을 확인하였다.
목차
요약
Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 본론
Ⅲ. 실험 및 측정
Ⅳ. 결론
REFERENCES
참고문헌 (9)
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1. [학술대회논문] - / 2012 / / 2012 IEEE Nuclear and Space Radiation Effects Conference Short Course Notebook
2. [학술지(정기간행물)] - Sang-Hyun Cho / 2011 / A 550-uW 10-b 40-MS/s SAR ADC With Multistep Addition-Only Digital Error Correction / IEEE JOURNAL OF SOLID-STATE CIRCUITS 46 (8)
3. [학술대회논문] - Min Su Lee / 2012 / Effects of a Leakage Current Blocking p+ Layer on a Dummy Gate-Assisted N-MOSFET Layout for Total Ionizing Dose Mitigation / IEEE NSREC
4. [학술지(정기간행물)] - T. R. Oldham / 2003 / Total Ionizing Dose Effects in MOS Oxides and Devices / IEEE Trans on Nuclei Sci 50 (3)
5. [학술지(정기간행물)] - D. M. Fleetwood / 2003 / Total-Dose Radiation Hardness Assurance / IEEE Trans on Nuclei Sci 50 (3)
2. [학술지(정기간행물)] - Sang-Hyun Cho / 2011 / A 550-uW 10-b 40-MS/s SAR ADC With Multistep Addition-Only Digital Error Correction / IEEE JOURNAL OF SOLID-STATE CIRCUITS 46 (8)
3. [학술대회논문] - Min Su Lee / 2012 / Effects of a Leakage Current Blocking p+ Layer on a Dummy Gate-Assisted N-MOSFET Layout for Total Ionizing Dose Mitigation / IEEE NSREC
4. [학술지(정기간행물)] - T. R. Oldham / 2003 / Total Ionizing Dose Effects in MOS Oxides and Devices / IEEE Trans on Nuclei Sci 50 (3)
5. [학술지(정기간행물)] - D. M. Fleetwood / 2003 / Total-Dose Radiation Hardness Assurance / IEEE Trans on Nuclei Sci 50 (3)
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