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본 논문에서는 절연물체로 Si3N4를 사용한 MIM 커패시터의 정합특성의 온도에 대한 의존성에 대해 분석하였다. 온도가 올라감에 따라 정합특성이 열화 되는 현상이 나타났다. 즉, 25 ℃, 75 ℃ 그리고 125 ℃에서 Si3N4 MIM 커패시터의 정합특성 계수는 각각 0.5870, 0.6151, 0.7861 %μm으로 측정 되었다. 이러한 현상은 온도가 증가함에 따라 커패시터 내부의 캐리어들의 이동도가 감소하고 전하의 농도가 많아지기 때문이라고 할 수 있다. 따라서 고온에서의 Si3N4 MIM 커패시터의 정합특성의 분석은 아날로그 집적회로나 SoC (System on Chip)에 아주 중요하고 필수적인 연구라고 할 수 있다.
목차
요약
Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 실험방법
Ⅲ. 결과 및 고찰
Ⅳ. 결론
참고문헌
참고문헌 (15)
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1. [학술대회논문] - H. P. Tuinhout / 1994 / Design of Matching Test Structures / IEEE Conf. on Microelectronic Test Structures : 21 ~ 27
2. [학술지(정기간행물)] - M. J. M. Pelgrom / 1998 / Matching Properties of MOS Transistors / IEEE Journal of Solid-State Circuits 24 (5) : 1433 ~ 1440
3. [학술지(정기간행물)] - K. R. Lakshmikumar / 1986 / Characterization and modeling of mismatch in MOS transistors for precision analog design / IEEE Journal of Solid-State Circuits 21 (6) : 1057 ~ 1066
4. [학술대회논문] - L. Pileggi / 2008 / Mismatch Analysis and Statistical Design at 65nm and below / IEEE Conf. on Custom Integrated Circuits : 9 ~ 12
5. [학술지(정기간행물)] - H. P. Tuinhout / 1996 / The Floating Gate Measurement Technique for Characterization of Capacitor Matching / IEEE Trans. on Semiconductor Manufacturing 9 (1) : 2 ~ 8
2. [학술지(정기간행물)] - M. J. M. Pelgrom / 1998 / Matching Properties of MOS Transistors / IEEE Journal of Solid-State Circuits 24 (5) : 1433 ~ 1440
3. [학술지(정기간행물)] - K. R. Lakshmikumar / 1986 / Characterization and modeling of mismatch in MOS transistors for precision analog design / IEEE Journal of Solid-State Circuits 21 (6) : 1057 ~ 1066
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5. [학술지(정기간행물)] - H. P. Tuinhout / 1996 / The Floating Gate Measurement Technique for Characterization of Capacitor Matching / IEEE Trans. on Semiconductor Manufacturing 9 (1) : 2 ~ 8
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