Vertically Aligned InAs Quantum Dots on GaAs Grown by MBE

이형규 ,  오병성 ,  이동한 외 4명

대한전자공학회 학술대회

1996 .01

InAs/GaAs Self-Assembled Quantum-Dot Infrared Photodetectors

김의태

한국재료학회 학술발표대회

2007 .01

Growth of high quality InAs quantum dots on GaAs substrates

김준관 ,  전훈하 ,  서언미 외 3명

한국재료학회 학술발표대회

2005 .01

MBE 방법에 의한 S1 위에 GaAs 성장

강태원 ,  임재영 ,  이재진 외 2명

대한전자공학회 학술대회

1986 .12

MBE에 의한 GaAs 에피택셜 성장 ( 2 ) ( GaAs Epitaxial Layer Growth by MBE ( 2 ) )

강태원 ,  이재진 ,  김영함 외 2명

전자공학회논문지

1986 .05

수소 플라즈마 처리에 의한 InAs/GaAs 양자점 태양전지 셀 특성 변화 연구

박문호 ,  김호성 ,  박성준 외 4명

대한전자공학회 학술대회

2013 .07

InAs/GaAs 양자점 태양전지의 수소 플라즈마 처리 효과에 관한 연구

김호성 ,  박문호 ,  김지훈 외 4명

대한전자공학회 학술대회

2014 .06

MBE 방법에 의한 Si 위에 GaAs 성장 ( Growth of GaAs on Si by MBE )

임재영 ,  강태원 ,  이재진 외 2명

대한전자공학회 학술대회

1986 .01

A Study of Structural and Optical Properties of InAs Quantum Dots on GaAs

장윤경 ,  김현수 ,  성태연 외 4명

대한전자공학회 학술대회

1998 .01

원자층 에피탁시 성장시킨 InAs/GaAs 양자점의 고온 거동 및 열적 안정성

김형석 ,  서주형 ,  설재복 외 7명

한국재료학회 학술발표대회

2005 .01

GaAs-AI GaAs Multi-Quantum Well Laser ; MBE Growth and Characterization ( GaAs-AlGaAs Multi-Quantum Well Laser : MBE Growth and Characterization )

우덕하 ,  이정승 ,  김대욱 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1990 .01

Effects of Rapid Thermal Annealing on the Structural and Optical Properties of InAs / GaAs Self-Assembled Quantum Dots

Shin Ho Cho ,  Chan Kyung Hyun ,  Eun Kyu Kim 외 1명

International Conference on Electronics, Informations and Communications

1998 .01

A study on the photovoltaic device using InAs multi-quantum dot grown by molecular beam epitaxy

HwangBoe ,  Sue-Jung ,  Jang 외 7명

한국재료학회 학술발표대회

2008 .01

Si 기판위에 MBE로 성장된 GaAs 박막의 초기성장에 관한 연구

남산 ,  김상기 ,  조경익 외 1명

한국재료학회 학술발표대회

1994 .01

MBE를 이용한 GaAs Quantum Well FET 제작 ( Fabrication of GaAs Quantum Well FET using MBE )

조승기 ,  주영도 ,  임병호 외 2명

대한전자공학회 학술대회

1992 .11

MBE에 의한 GaAs 에피층 성장을 위한 사전처리 과정 ( Preprocess of GaAs Epitaxial Layer Growth by MBE )

강태원 ,  이재진 ,  홍치유 외 2명

전자공학회논문지

1986 .03

상온에서 1.32㎛ 발광을 가지는 InAs 양자점 성장

김종수 ,  김기홍 ,  이동율 외 10명

한국통신학회 기타 간행물

2001 .10

MBE 방법에 의한 Si ( 001 ) 기판 위에 Single Domain GaAs 성장 ( The Growth of Single-Domain GaAs on Si substrates by MBE )

강태원 ,  홍치유 ,  임재영 외 2명

대한전자공학회 학술대회

1987 .11

MBE에 의한 porous Si 위에 GaAs 성장 ( The Growth of GaAs epi layer on porous Si MBE )

강태원 ,  홍치유 ,  신수동 외 5명

대한전자공학회 학술대회

1988 .01

MBE

강태원

대한전자공학회 단기강좌

1986 .01