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학술저널
저자정보
Vandana Kumari (University of Delhi) Manoj Saxena (University of Delhi) R. S. Gupta (Maharaja Agrasen Institute of Technology) Mridula Gupta (University of Delhi)
저널정보
대한전자공학회 JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE Journal of Semiconductor Technology and Science Vol.13 No.2
발행연도
2013.4
수록면
127 - 138 (12page)

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The impact of Empty Space layer in the channel region of a Double Gate (i.e. ESDG) MOSFET has been studied, by monitoring the DC, RF as well as the digital performance of the device using ATLAS 3D device simulator. The influence of temperature variation on different devices, i.e. Double Gate incorporating Empty Space (ESDG), Empty Space in Silicon (ESS), Double Gate (DG) and Bulk MOSFET has also been studied. The electrical performance of scaled ESDG MOSFET shows high immunity against Short Channel Effects (SCEs) and temperature variations. The present work also includes the linearity performance study in terms of VIP2 and VIP3. The proper bias point to get the higher linearity along with the higher transconductance and device gain has also been discussed.
#ATLAS 3D #double gate #empty spacein silicon #circuits

목차

Abstract
I. INTRODUCTION
II. FABRICATION FEASIBILITY
III. DEVICE SPECIFICATIONS
IV. DEVICE LINEARITY
V. RESULTS AND DISCUSSIONS
V. CONCLUSIONS
REFERENCES

참고문헌 (23)

참고문헌 신청
1. [단행본] - C. Piguest / 2006 / Low power CMOS circuit technology, logic design and CAD tools / CRC Press google schola 2. [학술지(정기간행물)] - A. O. Adan / 2002 / Linearity and low-noise performance of SOI MOSFET for RF applications / IEEE Trans. on Electron Devices 49 (58) : 881 ~ 888 google schola 3. [학술지(정기간행물)] - M. Jurczak / 2000 / Silicon-on-nothing (SON) - an innovative process for advanced CMOS / IEEE Trans on Electron Devices 47 (11) : 2179 ~ 2187 google schola 4. [학술지(정기간행물)] - H. Lu / 2008 / Effect of body doping on double gate MOSFET characteristics / Semicon. Sci. Technol. 23 : 015006 ~ google schola 5. [학술지(정기간행물)] - V. Kumari / / Analog and digital performance assesment of empty space in double gate (ESDG) MOSFET: A novel device architecture / Journal of Computational and Theroratical Nanoscience google schola

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UCI(KEPA) : I410-ECN-0101-2014-560-003604904