디지털 합금 InGaAlAs/InGaAlAs MBE 성장에 의한 1.3㎛ 양자우물 레이저 다이오드의 제작

배성주 ,  송진동 ,  김종민 외 1명

한국통신학회 기타 간행물

2002 .10

디지털 합금 InGaAlAs/InGaAlAs MBE 성장에 의한 1310nm 다중양자우물 레이저 다이오드의 제작

배성주 ,  송진동 ,  김종민 외 2명

한국통신학회 기타 간행물

2001 .10

Theoretical Study of the Temperature Characteristics of 1.3μm InGaAlAs / InGaAlAs MQW FP-LD

Jong In Shim ,  Gyeong Il Kweon ,  In Shik Pa 외 1명

OPTOELECTRONICS & COMMUNICATIONS CONFERENCE

1997 .01

PICS3D를 이용한 1.3㎛ InGaAlAs/InGaAlAs 양자 우물 레이저 다이오드 분석

배성주 ,  김종민 ,  박창영 외 1명

한국통신학회 기타 간행물

2004 .11

TDR-mirror을 사용한 1.3μm InGaAlAs / InP SL-MQW FP-LD의 온도특성 해석 ( Analysis of temperature characteristics in 1.3μm InGaAlAs / InP SL-MQW FP-LD with TDR ( temperature dependence reflectivity ) - mirror )

김철회 ,  심종인 ,  한백형

한국통신학회 광전자공학 학술회의

1996 .01

TDR-mirror를 사용하는 1.3mm InGaAlAs / InP SL-MQW FP-LD의 온도특성 해석 ( Analysis of Temperature Characteristics in 1.3mm InGaAlAs / InP SL-MQW FP-LD with TDR ( Temperature Dependence Reflectivity ) Mirror )

김철회 ,  심종인 ,  한백형

대한전자공학회 학술대회

1996 .01

MBE 방법에 의한 S1 위에 GaAs 성장

강태원 ,  임재영 ,  이재진 외 2명

대한전자공학회 학술대회

1986 .12

1.55μm SCH MQW LD에서 BARRIER와 SCH 구조의 최적화 ( Optimization of barrier and SCH structures in 1.55μm SCH MQW LD )

이한성 ,  최우영

한국통신학회 기타 간행물

1997 .01

1.55um SCH MQW LD에서 BARRIER와 SCH 구조의 최적화 ( Optimization of Barrier and SCH Structures in 1.55um SCH MQW LD )

이한상 ,  최우영

대한전자공학회 기타 간행물

1997 .01

MBE에 의한 GaAs 에피택셜 성장 ( 2 ) ( GaAs Epitaxial Layer Growth by MBE ( 2 ) )

강태원 ,  이재진 ,  김영함 외 2명

전자공학회논문지

1986 .05

MBE 방법에 의한 Si 위에 GaAs 성장 ( Growth of GaAs on Si by MBE )

임재영 ,  강태원 ,  이재진 외 2명

대한전자공학회 학술대회

1986 .01

GaAs-AI GaAs Multi-Quantum Well Laser ; MBE Growth and Characterization ( GaAs-AlGaAs Multi-Quantum Well Laser : MBE Growth and Characterization )

우덕하 ,  이정승 ,  김대욱 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1990 .01

ErAs 나노입자가 첨가된 InGaAlAs 박막의 평면정렬방향으로의 열전특성

이영중

한국재료학회지

2011 .01

LPE법에 의한 SCH-SQW In0.13Ga0.87As0.75P0.25 / GaAs Laser Diode 구조의 성장 ( Growth of SCH-SQW In0.13Ga0.87As0.75P0.25 / GaAs Laser Diode Structure by LPE Method )

김한생 ,  강경인 ,  유재수 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1993 .01

LPE법에 의한 SCH-SQW In0.13Ga0.87As0.75P0.25 / GaAs Laser Diode 구조의 성장 ( Growth of SCH-SQW In0.13Ga0.87As0.75P0.25 / GaAs Laser Diode Structure by LPE Method )

김한생 ,  강경인 ,  유재수 외 1명

한국통신학회 광전자공학 학술회의

1993 .01

MBE에 의한 GaAs 에피층 성장을 위한 사전처리 과정 ( Preprocess of GaAs Epitaxial Layer Growth by MBE )

강태원 ,  이재진 ,  홍치유 외 2명

전자공학회논문지

1986 .03

Si 기판위에 MBE로 성장된 GaAs 박막의 초기성장에 관한 연구

남산 ,  김상기 ,  조경익 외 1명

한국재료학회 학술발표대회

1994 .01

MBE를 이용한 GaAs Quantum Well FET 제작 ( Fabrication of GaAs Quantum Well FET using MBE )

조승기 ,  주영도 ,  임병호 외 2명

대한전자공학회 학술대회

1992 .11

MBE 방법에 의한 Si ( 001 ) 기판 위에 Single Domain GaAs 성장 ( The Growth of Single-Domain GaAs on Si substrates by MBE )

강태원 ,  홍치유 ,  임재영 외 2명

대한전자공학회 학술대회

1987 .11

MBE에 의한 porous Si 위에 GaAs 성장 ( The Growth of GaAs epi layer on porous Si MBE )

강태원 ,  홍치유 ,  신수동 외 5명

대한전자공학회 학술대회

1988 .01