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논문 기본 정보

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학술대회자료
저자정보
전은범 (Hanyang University) 김학성 (한양대학교)
저널정보
대한기계학회 대한기계학회 춘추학술대회 대한기계학회 2012년도 추계학술대회 논문집
발행연도
2012.11
수록면
371 - 375 (5page)

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이 논문의 연구 히스토리 (3)

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Recently, ultra-thin chips with thicknesses of under 35 ㎛ have emerged as an option for thinner, high performance electronic devices. For reliable electronic devices and high throughput packaging processes, the mechanical properties of ultra-thin chips need to be accurately understood. Especially, the residual stress occurred due to shear force between the grinding wheel/ polish pad in wafer thinning process occurred in wafer thinning process could be affected the fracture strength of ultra-thin device. In this paper, the optimal condition to reduce the residual stress of the ultra-thin chip was found with respect to the various wafer thinning parameters. The residual stresses distributions along the thickness direction of the ultra-thin flash memory chip before/after IPL annealing were measured using Raman spectroscopy. To validate the IPL annealing, we perform the BOR test to measure the fracture strength of ultra-thin flash memory chip. From the study, the effect of the residual stress and the fracture strength of ultra-thin flash memory chip with respect to IPL annealing were discussed.

목차

Abstract
1. 서론
2. 실험
3. 결과 및 토론
4. 결론
참고문헌

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